[参考译文] CCS/TMS320F28377S：TMS320F28377S 的第1组上的闪存编程问题

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/705320/ccs-tms320f28377s-the-flash-programming-problem-on-bank1-of-tms320f28377s

工具/软件：Code Composer Studio

您好！

我使用了 LAUNCHXL-F28377S 测试闪存编程。 代码是来自 controlSUITE 的"flash_programming"。  此示例代码已成功从组0的 B 部分写入和读取数据。 但是、当我通过将 SectionZ 地址添加到 FLASH_programming_c28.h 中来更改为 BANK1的 SectionZ 时

#define Bzero_SectorZ_start 0xFA000             /*Start Address：Sector 0 of Bank under Test*/
#define Bzero_SectorZ_end 0xFBFFF            /*Start Address：Sector 0 of Bank under Test*/

然后将所有 Bzero_sectorb_start 更改为 Bzero_SectorZ_start。 但是、当程序验证 编程的值时会发生错误。 oReturnCheck 返回失败。  

//验证编程的值。 Program 步骤本身会进行验证
//进行。 此验证是可以执行的第二次验证。
oReturnCheck = fapi_doVerify (((uint32 *) u32Index、
              4、
              Buffer32+(I/2)、
              oFlashStatusWord (&O)；
if (oReturnCheck！= Fapi_Status_Success)
｛
//检查闪存 API 文档以了解可能的错误
       Example_Error (oReturnCheck)；
｝

如果有人能提出一些建议、我将不胜感激。 谢谢。