[参考译文] F28M35H52C：当我执行程序时、C28x 闪存块的闪存擦除和程序 API 不起作用。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/721114/f28m35h52c-flash-erase-and-program-apis-for-c28x-flash-block-does-not-work-when-i-execute-the-program

您好！

我使用的是 Code Composer Studio 版本：6.0.0.00190、编译器版本为 TI v6.2.5。 所有库和包含文件都已添加到项目中

我一直在尝试用一些数据擦除和编程 C28x 闪存块中的扇区 E (比如4 16位值到4个位置)。

• 闪存泵被增益
• 闪存 API 已初始化
• 闪存组被设定为激活
• 闪存被擦除(扇区 E)、FSM 就绪被检查并且 FMC 数据高速缓存被清空
• 闪存被编程(扇区 E)、 FSM 就绪被检查、读取 FSM 状态和 FMC 数据高速缓存被清空。
• 擦除和编程期间、所有 CPU 中断被禁用。
• EALLOW 和 EDIS 也被照顾。

这个与闪存相关的代码被写入一个函数并从 main()中调用。 所有系统初始化、闪存初始化、PLL 等都已正确完成。 所有闪存用户函数和库都已从 RAM 中运行。

我的问题是、如果运行代码、闪存 API 不会向扇区 E 写入任何值、并且任何闪存 API 函数都不会返回错误。 但是、如果我再次调用该函数(在 main 中、同一函数先后调用两次)、那么我会看到写入扇区 E 的值、这是第二次执行该函数。  

我无法找到它为什么第一次不使用该数据对闪存进行编程？

我们非常感谢您在这方面提供的任何快速帮助。