使用 XDS100 、是否需要将引脚 GPIO 12和17短接至 GND、以便将 TRST 拉至高电平
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使用 XDS100 、是否需要将引脚 GPIO 12和17短接至 GND、以便将 TRST 拉至高电平
我可以对闪存进行编程。 要从闪存引导、请将 TRSET 短接。
步骤顺序:
1.打开系统电源
GPIO34 = GPIO37 = 1且 TRSTn = 1
3.等待~5秒
4、 TRST 到接地短路 GPIO34 = GPIO37 = 1且 TRSTn = 0。
5.从闪存引导,不包括源代码。
6.发送测试脚本通过
测试2.
1 TRST 短接至接地 GPIO34 = GPIO37 = 1且 TRSTn = 0
2. 打开系统电源
3.等待~5秒
5. 发送测试脚本 失败
在 第1种情况下 、在加电5秒后将 TRST 短接至接地、 通过。
在 第2种情况下 、在接通电源之前将 TRST 短接至接地 、失败
。
谢谢
这是正常行为吗?
谢谢
您好、TRST 在启动后被读取、问题是否在 CMD 文件中?
存储器
{
第0页:/*程序内存*/
/*内存(RAM/FLASH/OTP)块可移动到第1页进行数据分配*/
RAML0:origin = 0x008000、length = 0x000800 //片上 RAM 块 L0 */
RAML1:origin = 0x008800,length = 0x000400 //片上 RAM 块 L1 */
OTP:origin = 0x3D7800,length = 0x000400 //片上 OTP 一次性可编程内存*/
闪存:origin = 0x3E8000,length = 0x00FF80 //闪存,所有扇区组合*/
csm_RSVD:origin = 0x3F7F80,length = 0x000076 // FLASHA 的一部分。 使用所有0x0000 E 进行编程。*/
BEGIN_FLASH:origin = 0x3F7FF6,length = 0x000002 /* FLASHA 的一部分。 用于"引导至闪存*/
CSM_PWL_P0:origin = 0x3F7FF8,length = 0x000008 // FLASHA 的一部分。 CSM 密码位置在*/中
IQTABLES:origin = 0x3FE000,length = 0x000B50 //引导 ROM 中的 IQMath 表*/
IQTABLES2:origin = 0x3FEB50,length = 0x00008C //引导 ROM 中的 IQMath 表*
IQTABLES3:origin = 0x3FEBDC,length = 0x0000AA /*引导 ROM 中的 IQMath 表*/
ROM:origin = 0x3FF27C,length = 0x000D44 //引导 ROM */
复位:origin = 0x3FFFC0,length = 0x000002 //引导 ROM 的部分*/
向量:origin = 0x3FFFC2,length = 0x00003E //引导 ROM 的部分*/
*
RAMM2:origin = 0x008C00,length = 0x000400 //片上 RAM 块 L2 */
RAML3:origin = 0x009000,length = 0x001000 //片上 RAM 块 L3 */
FLASHB:origin = 0x3F4000,length = 0x002000 //片上闪存*/
}
输入0x3F7FF6 、结果:0x3F7FF6
跳转到 InitSysCtrl()
跳至 Intro0clDel()
跳转至 Initperipheral 时钟
跳转至 GPIO initPie 矢量表
跳转至 initCpu 计时器
使用调试器、它会按预期执行
是否 需要在脚本中选择 EMU 模式的"EMU 模式"剂量?
我是否需要关注 GEL、请参阅以下内容:
if (GEL_IsInRealtimeMode()) /* If in Real-time mode */
{
}
else /*将器件置于 C28x 模式*/
{
C28x_Mode();
}
unlock_csm();
DEVICE_Cal ();
CLA_Clock_Enable(); //启用 CLA 时钟-允许调试器在复位后设置 CLA 断点*/
// 在复位时取消注释所需的引导模式:
// EMU_BOOT_SARAM (); //设置 EMU 引导变量-引导至 SARAM *
// EMU_BOOT_FLASH (); //设置 EMU 引导变量-引导至闪存*
}