[参考译文] TMS320F280023C：使用闪存模块在两个电源周期之间保存数据

您好、Vamsi、

感谢您的快速回复。

我读出在擦除/编程期间不应该有任何闪存访问在我调用 API 时发生-- 因此、这意味着我必须以某种方式使它"阻断"(阻止我的应用程序代码运行、直到该扇区已被编程)、或者以某种方式从 RAM 临时运行代码。

您能告诉我如何继续进行此限制吗？ 在 E/P 周期开始时、是否有一种机制可以对 MCU 进行编程、使其从 RAM 而非闪存执行？

谢谢、

Vishnu

编辑：不用考虑阻止器件、我只需轮询 FSM 的状态、直到它准备就绪。 仍然对 RAM 器件很好奇、有没有办法做到这一点？ 仅供参考。

编辑2：看起来是这样的

#pragma CODE_SECTION(<function name>, ".TI.ramfunc");

您好，Vishnu，

我将能够在下周早些时候进行回顾并与您再次进行讨论。

谢谢、此致、

Vamsi

您好，Vishnu，

您对此还有其他问题吗？  或者、我们可以关闭这个线程吗？

谢谢、此致、
Vamsi

您好、Vamsi、

很抱歉、我们的回复很晚、两者之间出现了一些问题。

只需确认-您所指的 memcpy 是"memcpy (&RamfuncsRunStart、&RamfuncsLoadStart、(size_t)&RamfuncsLoadSize)；"、对吧？

另一个小问题。 我在浏览示例代码、看到了其他我不理解的内容- #pragma DATA_SECTION (Buffer、"DataBufferSection")；

涉及闪存的应用代码中是否需要此行？ 它实现了什么？

此致、

Vishnu