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[参考译文] TMS320F280025C：电源轨设计查询和电源定序

admin
Guru**** 2398695 points
Other Parts Discussed in Thread: TPD1E01B04

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1209847/tms320f280025c-power-rail-design-inquiry-and-power-sequence

器件型号：TMS320F280025C
主题中讨论的其他器件：TPD1E01B04

大家好

客户正在设计此器件、这是他们的终端设备、并且对设计有一些疑问。  MCU 用于控制板载少数交流继电器。 请注意、在 VDDIO/VDDA (+3.3V)电源轨上观察到+/-50V<5ns 的瞬态尖峰

问题

1.是否会使 MCU 过载并触发和任何保护？

2.在 VDDIO/VDDA 电源轨上部署 ESD/TVS 是否有助于抑制瞬态尖峰？ 例如添加 TPD1E01B04

3. VDD 是否有最大电容？ 询问的原因是、当设计每个 VDD 引脚使用10uF 和去耦0.1uF (总~40uF)时。 由于没有外部器件连接至1.2V 进行放电、因此结果1.2V 的斜降速度较慢。 这也会导致在断电序列期间、大于10ms 的 VDD (+1.2V)和 VDDIO (+3.3V)之间的电压电平差大于0.3V。 这会引起任何担忧吗？

与 XRSn 引脚类似，在断电过程中，VRSN 引脚和 VDDIO 引脚之间的电压差大于0.3V，这一电压差是否可能损害 MCU？

Rgds
结果

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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    MIKE MIKE1 说：
    请注意、VDDIO/VDDA (+3.3V)电源轨上观察到+/-50V<5ns 的瞬态尖峰

    通常、振铃大约为几十到几百毫伏。 +/- 50V 过高。 您知道这个振铃幅度如何耦合在电源线上吗？

    MIKE MIKE1 说：
    1. 这是否会使 MCU 过载并触发和任何保护？

    这将打开内部钳位二极管。 至于它是否会使 MCU "过载"、我需要联系一些相关专家。

    MIKE MIKE1 说：
    2. 在 VDDIO/VDDA 电源轨上部署 ESD/TVS 来抑制瞬态尖峰是否有帮助？ 例如添加 TPD1E01B04

    如果外部钳位二极管能够以足够快的速度导通并耗散掉多余的能量、则会有所帮助。  

    MIKE MIKE1 说：
    3. VDD 是否有最大电容？

    我会回来跟您谈谈这个问题。  

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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    10uF 的 VDD 电容是正确的。  断电期间出现的电压差是正常的、不会成为问题。

    在 VDDIO/VDDA 上施加任何时间内产生50V 都可能会损坏器件。  这需要在器件外部进行钳制、以将 VDDIO/VDDA 保持在数据表的绝对最大表内。

    此致、

    Jason

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    TI__Guru**** 2398695 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    开尔文、

    我误解了您的原始帖子。  此器件的合适 VDD 电容总共为10uF (使用容差为20%的电容器或一些较小的0.1uF 去耦电容器可以接受)。  如果需要、可以施加最高22uF 的标称电容。  为了确保内部稳压器的稳定性、需要使用该范围10-22uF。

    此致、

    Jason