[参考译文] 微型逆变器中过零处的 PWM 问题

您好 Pranav、

遗憾的是、最近我多次遇到此问题、但我不知道当前实施的设备端权变措施。

首先、最重要的是、您是否有办法减少数据库、从而完全绕过此问题？ 如您所见、相对于 TBPRD 较高的 DB 会出现问题、而减少 DB 会是减少对系统影响的最简单方法。  

此致、

Jason Osborn

大家好、Jason、

减少死区是缓解该问题的最简单方法、但我们在系统中使用的 MOSFET 具有非常高的上升和下降时间、因此我们需要使用上述死区。 如果我们使用更好、更快的 MOSFET、就可以轻松实现更低的死区时间并缓解这一问题。 我想知道是否有人可以通过固件采取任何方法来缓解这个问题？ 可能会降低过零附近的开关频率等 我已经尝试过这个,但它不起作用:(

此致、

Pranav Ananthakumar

Pranav,

嗯,好吧,我有另一个想法,需要我再问一个问题。  您当前的动作限定器(AQ)配置是什么？ 此外、如果根本使用了 CMPA/B、如何计算 CMPx 值？

根据您的答案、我们可以调整这些值、以便在不需要使用 DB 子模块的情况下在 A/B 端 ePWM 输出之间引入死区时间。 这将允许我们降低 DBRED/FED 的值。 我相信 TRM 中已经讨论过这个想法、但我不记得其他地方。

此致、

Jason Osborn

Jason、

目前、在递增计数期间动作限定符(AQ)配置已清除、在递减计数期间设置。  

我的 CMPA 通过(EPWM_TBPRD *调制指数)计算得出。 我的 EPWM_TBPRD 等于70kHz 的计数、即714和调制指数的范围(0至0.6)、该范围来自我的 PR 控制器输出。

此致、

Pranav Ananthakumar

Pranav,

对于 DB、您是否使用 AHC 配置？

此致、

Jason Osborn

Jason、

是的、我使用高电平有效互补配置。

此致、

Pranav Ananthakumar