[参考译文] TMDSCNCD28379D：USB 闪存编程器不支持更大的文件

我目前有一个带有集线站的 F2837x controlCARD。

请查看以下内容：

C：\ti\c2000\c2000Ware_4_03_00_00\boards\controlCARDs\TMDSCNCD28379D\R1_3\TMDSCNCD28379D_180cCARD_pinout_R1_3.pdf

我认为 XRSn 是引脚120？

在 CC 中复位处理器以启动 USB 闪存编程后、此引脚当前为~350mV。 我设置了一个触发器(下降沿)。

当运行 USB_FLASH_programmer 时、我不会触发(即线路保持在~350mV)。

故障如上所述。

您是否能够用我提供的 CC 项目、源和数据复制问题？

谢谢。

布伦特

Brent、

感谢您提供的信息。  此问题与闪存 API 无关。   

我将请我们的 USB 闪存开发人员(让他尝试该项目、但看起来他没有可用)就该项目提交一个票证、以进一步调试该项目、以便他们可以在其中一个较新版本中发布固定版本。

注意：我还将我们的开发人员引导至编译器团队、看看我们是否可以强制每个函数位于对齐的地址上。

谢谢。此致、

瓦姆西

尊敬的 Vamsi：

感谢您提供的信息。

我只是想稍微澄清一下。

您认为这是 USB 闪存内核代码的一个问题/错误吗？

具体来说、您认为在将 application .dat 文件写入闪存时、闪存内核代码未正确对齐对齐地址上的函数、因此一个或多个函数未正确对齐、从而导致闪存错误？

您已经打开了一个 TT、让 USB 闪存内核开发人员可以研究该问题、他们将在 C2000 SDK 的新版本更新中提供修复？

何时可以解决此问题是否有任何时间框架？

我是否有办法跟踪该工单或该工单是 TI 内部人员？ 不确定如何获取有关该问题的状态？

请告诉我、是否有办法强制每个函数都在对齐的地址上。

谢谢。

布伦特

您好、Brent：

关于此问题、我们计划首先关注的是找到一种方法、使每个函数都位于对齐的地址上。

是的、我确实认为问题在于 USB 闪存内核代码在将程序数据传递到闪存 API 之前没有对齐程序数据。  因此、是闪存 API 产生的错误。

是的、USB 闪存内核开发人员必须查看这一点-我还不知道时间范围-它可以与下一版 C2000Ware 一起发布(不是本季度的计划发布)。

是的,有一种方法来跟踪票-我们的团队可以在下周向您提供该信息。

谢谢。此致、

瓦姆西

您好、Brent：

关于对齐所有函数、我们的编译器团队建议如下：

最近的解决方案是将__attribute__(aligned (8)))应用于每个函数。   相关详细信息、请在 C28x 编译器手册 (https://www.ti.com/lit/pdf/spru514)中搜索标题为"函数属性"的子章节。  为了简化操作、请将其封装在宏中。

如果您需要有关这方面的更多信息、请告诉我、我可以加入我们的编译器团队来为您提供帮助。

谢谢。此致、

瓦姆西

感谢您提供的信息 Vamsi。  

我会尝试这项建议、让您知道它是如何运作的。

布伦特

尊敬的 Vamsi：

遗憾的是、这无法解决问题。

它最终在同一个地方出现故障：

请查看随附的更新文件、以验证我是否正确更新了代码。 对于每个函数(包括 main 在内的801个函数)、我都应用了以下带有新属性的声明：

空 main ()
__attribute__(aligned (8))；
void foo1()
__attribute__(aligned (8))；

     ...

e2e.ti.com/.../7534.led_5F00_ex1_5F00_blinky.c

您是否需要任何其他信息或我可以尝试其他信息？

您是否还能够复制我看到的问题？

谢谢。

布伦特

Brent、

感谢您试用我们编译器团队的建议。   

我们的 USB 专家(Siddharth)和内核专家(Charles)将对此进行调试、并尝试在今年第四季度发布更新。   

当他们创建 TT 时、我们将告诉您有关如何跟踪它的详细信息。

谢谢。此致、

瓦姆西

感谢您提供的信息。

您好、Brent：

目前正在提交 TT、下周早些时候将向您提供详细信息以进行跟踪。  

谢谢。此致、

查尔斯

感谢您发送编修。

已向您发送连接消息进行聊天。

谢谢。

查尔斯