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[参考译文] TMS320F28379D：闪存区域选择

admin
Guru**** 2555630 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1246350/tms320f28379d-flash-area-selection

器件型号：TMS320F28379D

您好！
我需要将一些校准值存储在闪存中。 我正在审核28379D 闪存 API 示例代码。 数据表中有许多闪存扇区。 我想存储一个包含200个元素的浮点数组。 但我可以使用哪个闪存扇区、我担心我选择的闪存扇区会不会损坏其他代码流。 我的主代码在 RAM 上运行。
扇区 C 在示例代码中使用。 例如、为什么选择 C 而不选择 A 或 B？
谢谢。

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    TI__Guru**** 2555630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    您能否进一步解释一下"损害其他代码流"的含义？  这将帮助我们更好地为您进行分析。

    闪存 API 示例选择了该扇区、因为扇区 A 和 B 被用于映射其他段。  没有任何具体的原因。

    在这个闪存技术上(在这个器件中使用)、您选择哪个扇区用于这个用途无关紧要。  您可以选择任何象限。

    谢谢。此致、
    瓦姆西

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    TI__Guru**** 2555630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！  

    我即将关闭此帖子、假设问题已得到解答。  如果您还有其他问题、请打开新帖子。

    谢谢。此致、

    瓦姆西