This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS320F28075:在闪存写入/擦除期间 ISR 程序是否可执行

Guru**** 2391415 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1256220/tms320f28075-whether-isr-program-executable-during-flash-write-erase

器件型号:TMS320F28075

亲爱的香榭丽舍大街,

我是为我们的客户提出这个问题的。  

10~13将闪存扇区 Δ I 分配为数据闪存部分。 程序部分将位于扇区0~9。

如果客户想在运行模式下写入/擦除 F28075闪存扇区10~13。

他们想知道 ISR 程序是否可以在闪存写入/擦除期间被执行。

如果 ISR 程序针对 C28定位在闪存上、是否能够在闪存写入/擦除期间执行?

如果 ISR 程序位于 C28的 RAM 处、是否可以在闪存写入/擦除期间执行?

如果 ISR 程序位于 CLA 的 RAM 处、是否可以在闪存写入/擦除期间执行?

此致、

丹尼尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Daniel:

    不应对闪存擦除/编程操作处于活动状态的存储体进行任何(取/读取)访问。

    当闪存擦除/编程操作正在进行时、可以执行位于 RAM 中的任何 ISR。

    谢谢。此致、
    瓦姆西

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Daniel:

    由于我没有收到您的反馈、我可以假设此问题已经解决吗?

    谢谢。此致、

    瓦姆西