[参考译文] TMS320F28379D：闪存操作问题

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1303254/tms320f28379d-flash-operations-problem

器件型号：TMS320F28379D

您好！

当文本连续写入和删除到微芯片闪存15-16次时、CCS 会断开与调试屏幕的连接。我需要切断电源、然后再对电路板重新供电。

此外、闪存操作示例仅工作一次。我需要连续写入/擦除几次。

有什么建议吗？

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2540720 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您能否更详细地介绍一下您如何对闪存进行编程、是通过 CCS 加载还是 CPU 运行调用闪存 API 的代码？至于操作示例、这只是用于显示用法的不同闪存命令的集合、不应出于任何原因而多次调用闪存编程/擦除功能。

我相信在此示例中、我们将禁用看门狗计时器、因此不应存在计时超时的风险、但您可以确保在示例顶部调用看门狗禁用功能的情况就是如此。如果启用 WD 很重要、有一些方法可以保持启用 WD、但您必须使用回调函数在不同闪存操作之间为 WD 提供服务。

此致！

马修

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2540720 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Matthew、您好！

我们有关于通过闪存 API Fapi 库进行闪存编程的问题。

在本例中，我们需要将应用程序相关变量写入一些非易失性存储器，如外部 EEPROM，并有时将其擦除，但在本例中，我们为此目的使用 MCU 的内部闪存扇区 N 而不是外部 EEPROM (我们的 MCU C2000 f28379d )。

这些读取、写入和擦除情况不仅仅是一次性的情况、尤其是应用程序需要记录或更新一些应用程序相关变量时、该代码的闪存编程部分需要执行、例如、我们有32位 x 255个变量、需要每1秒连续记录所有这些变量。

在代码看门狗始终禁用的情况下、我们不使用看门狗。我们的代码有一点复杂、我们在闪存和 RAM 部分中执行了若干中断例程。还有我们无法在 RAM 上执行的代码的闪存读取写入擦除部分(.TI.ramfuncs)，它在闪存上运行。我看到有关 RAM 和闪存部件执行的多个 POST 导致该 fapi 函数相关代码执行出现问题。我尝试将这个与 fapi 相关的代码放入闪存和 RAM 中、但对我们的示例并没有太大影响、仍然在记录我们的值、在记录20 25次之后、问题会出现、然后在调试模式下、调试断开连接然后重新连接到电路板一些变量连接到闪存、但有些不是、有时所有变量0xFF。此问题有点随机。此外、我试图独立运行而不进行调试、结果是一样的。

此外、写入扇区 N 有某种顺序、我们不是在写入之前擦除该扇区而写入扇区 N。是否正确、我们需要在每次写入之前进行擦除？

此外,我们的系统时钟200MHz,我们正在配置闪存 API 200MHz/206Mhz %3%规则,但不工作,我们配置 fapi inint 120MHz,它的工作在上述有问题的情况下。为什么不在200MHz 的频率下工作？

我共享了代码的闪存编程部分：

在.cmd 文件中：

我们添加了

BufferDataSection :> RAMD1, page = 1, align (8)

在闪存编程库代码部分中：

#define words_in_flash_buffer 0xFF //编程数据缓冲区，字

#pragma DATA_SECTION (FlashBuffer,"BufferDataSection");

unsigned int FlashBuffer[words_in_flash_buffer + 1]；

unsigned long int * FlashBuffer32 =(UINT32 *) FlashBuffer；

unsigned int FlashReadBuffer [50]；

t_45100c Flash_Operation_ E_s Flash_Operation_对象；

空 FlashEraseOperation()

{

UINT32 u32Index = 0；

UINT16 I = 0；

Fapi_Status 回退检查；

Volatile Fapi_Flash usType oFlashStatus;

Fapi_Flash 15.4WordType oFlashStatusWord;

// *

// *擦除扇区

// *

EALLOW；

DcsmCommonRegs.FLSEM = 0xA501；

EDIS；

InitFlash()；

//禁用 ECC。

EALLOW；

Flash0EccRegs.ECC_ENABLE_bit.enable = 0x0；

//根据系统初始化闪存 API 需要该函数

//执行任何其他闪存 API 操作之前的频率

oReturnCheck = Fapi_initializeAPI (F021_CPU0_BASE_ADDRESS、120)；

// Fapi_setActiveFlashBank 函数设置闪存组和 FMC 以进一步

//将要在组上执行的闪存操作

oReturnCheck = Fapi_setActiveFlashBank (Fapi_Flash 0)；

//擦除扇区 N

oReturnCheck = Fapi_issueAsyncCommandWithAddress (

Fapi_Erase 52，(Uint32*)；Bzero_Sector

//等待 FSM 完成擦除扇区操作

while (Fapi_checkFsmForReady()!= Fapi_Status_Fsm )

{

｝

//验证 SectorL 是否已擦除。擦除步骤本身会执行

//按顺序进行验证。此验证是可以完成的第二个验证。

/* oReturnCheck = Fapi_doBlankCheck ((Uint32 *) Bzero_Sector 45i_start、

Bzero_16KSector_u32长度、

oFlashStatusWord)；*/

//启用 ECC。

Flash0EccRegs.ECC_ENABLE_bit.enable = 0xA；

//释放闪存信号量。

DcsmCommonRegs.FLSEM = 0xA500；

EDIS；

｝

空 FlashReadOperation()

{

Fapi_doMarginReadByByByByByByByByByByByBybee (uint16_t *) Bzero_Sector _start、FlashReadBuffer、27、Fapi_Normal 境内)；

//已读取变量...

｝

空 FlashWriteOperation()

{

UINT32 u32Index = 0；

UINT16 I = 0；

Fapi_Status 回退检查；

Volatile Fapi_Flash usType oFlashStatus;

Fapi_Flash 15.4WordType oFlashStatusWord;

//*

//*将变量写入闪存扇区

//*

EALLOW；

DcsmCommonRegs.FLSEM = 0xA501；

EDIS；

InitFlash()；

//禁用 ECC。

EALLOW；

Flash0EccRegs.ECC_ENABLE_bit.enable = 0x0；

//根据系统初始化闪存 API 需要该函数

//执行任何其他闪存 API 操作之前的频率

oReturnCheck = Fapi_initializeAPI (F021_CPU0_BASE_ADDRESS、120)；

// Fapi_setActiveFlashBank 函数设置闪存组和 FMC 以进一步

//将要在组上执行的闪存操作

oReturnCheck = Fapi_setActiveFlashBank (Fapi_Flash 0)；

//等待 FSM 完成擦除扇区操作。

while (Fapi_checkFsmForReady()!= Fapi_Status_Fsm )

{

｝

FlashBuffer[0]= 0；

FlashBuffer[1]= 0 ;

FlashBuffer[2]= 0 ;

FlashBuffer[3]=(UINT16 )(变量);

FlashBuffer[4]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[5]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[6]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[7]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[8]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[9]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[10]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[11]= (UINT16)(变量);

FlashBuffer[12]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[13]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[14]= (UINT16)(变量);

FlashBuffer[15]=(UINT16)( 变量);

FlashBuffer[16]= (UINT16)(变量);

FlashBuffer[17]= (UINT16)(变量);

FlashBuffer[18]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[19]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[20]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[21]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[22]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[23]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[24]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[25]= (UINT16 )(变量);

FlashBuffer[26]= (UINT16 )(变量);

对于(I = 0、u32Index = Bzero_Sector 启动；(u32Index <(Bzero_Sector 启动+ words_in_flash_buffer))和(oReturnCheck = Fapi_Status_Success)；i += 8、u32Index += 8)

{

//fapi_issueProgrammingCommandForEccAddresses()；

oReturnCheck = Fapi_issueProgrammingCommand ((Uint32 *)u32Index , FlashBuffer + I , 8 , 0 , 0 , Fapi_Auto EccGeneration );

//等待 FSM 完成编程操作。

while (Fapi_checkFsmForReady()== Fapi_Status_Fsm 52)

{

｝

//读取 FMSTAT 寄存器内容以了解 FSM 的状态，

//编程命令进行任何调试。

//oFlashStatus = Fapi_getFsmStatus ()；

//验证编程的值。 "Program"步骤本身进行验证

//。此验证是可以完成的第二个验证。

/* oReturnCheck = Fapi_doVerify ((UINT32 *) u32Index、4、

FlashBuffer32 +(I / 2)、

oFlashStatusWord)；*/

｝

//启用 ECC。

Flash0EccRegs.ECC_ENABLE_bit.enable = 0xA；

//释放闪存信号量。

DcsmCommonRegs.FLSEM = 0xA500；

EDIS；

｝

空 FlashOperations (空)

{

切换器(Flash_Operation_ Flash_Operation_States)

{

案例 FLASH_OPERATION_ESHOLD_STATE：

//通过

中断；

案例 FLASH_OPERATION_ERASE_STATE：

FlashEraseOperation ();

Flash_Operation_ Design_Object.Flash= Flash_Operation_States flash_operation_dummy_state；

中断；

案例 FLASH_OPERATION_READ_STATE：

FlashReadOperation()；

Flash_Operation_ Design_Object.Flash= Flash_Operation_States flash_operation_dummy_state；

中断；

案例 FLASH_OPERATION_WRITE_STATE：

FlashEraseOperation ();

FlashWriteOperation()；

Flash_Operation_ Design_Object.Flash= Flash_Operation_States flash_operation_dummy_state；

中断；

默认值：

//通过

中断；

｝

当 ver 状态为写入、读取或擦除而触发时，此函数 FlashOperations()在 main 中运行。

有什么想法欢迎您？

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2540720 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

闪存 API 必须从 RAM 或不同的闪存存储体运行。在该器件上为 CPU1、这意味着 API 必须位于 RAM 中。如果您使用 CPU1对 CPU2进行编程、则可以在对 CPU2闪存进行编程时将 API 保留在 CPU1的闪存中。 CPU2无法对 CPU1的闪存进行编程、因此这就是我们必须放置在 RAM 中的原因。

这是因为闪存被破坏、在编程操作期间、其他扇区可能会受到影响。预取缓冲区可能对我们有所帮助、但我们不建议这样做、我建议将所有 API 都放置在 RAM 中、以确保器件正常运行。

在频率方面、您提到的裕度与使用内部振荡器作为时钟源有关、因为如果您锁定200MHz 并采用10MHz 源、它的容差变化会导致器件在规格上限之外运行。闪存操作是基于时间的、这意味着使用了有限延迟、因此对于该操作、运行200MHz 与120MHz 没有优势。

就 CCS 断开连接而言、OTP 扇区中存在某些安全设置(DCSM)。如果在闪存编程期间读取这些代码、则可能会导致某些连接问题、如果安全处于活动状态并且代码正在从安全区域执行、则会阻止仿真器连接。您可以在代码中查看是否激活了安全性等。

此致！

马修

C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）

C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TMS320F28379D：闪存操作问题