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有人能帮助我了解如何设计 MCU 的输入电源吗？ 电源输入端的铁氧体磁珠和电容器是否有特定要求？
Abhishek,
去耦电容器要求在器件数据表中提到。 这完全是从 MCU 的角度出发。 根据您的电路板上的其他元件、可能需要进行额外的注意事项。 LDO (或直流/直流转换器)的选择取决于电路板上所有组件的总电流要求。 当然、您需要提供至少30-40%的裕度、以应对瞬时需求、并确保 MCU 的电源电压不会违反数据表要求。 由于许多决策都是特定于设计的、因此很难概括。 如果您的应用是基于空间的、则需要使用为该环境设计的组件。
感谢您对此问题的指导。 我之所以发布此帖子、是因为我在器件的数据表中找不到任何有关去耦电容器的文档。 请您引导我找到分享该器件相关信息的相关资源吗？
请参阅 www.ti.com/lit/SPRS880的第36和37页。
非常感谢！
