This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS320F28384D:VDDIO 去耦电容器配置

Guru**** 1552380 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28384D, TMDSCNCD28388D
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1348535/tms320f28384d-vddio-decoupling-capacitor-configuration

器件型号:TMS320F28384D
主题中讨论的其他器件: TMDSCNCD28388D

我正在设计一个使用 TMS320F28384D 的电路板、我有关于 VDDIO 组上的去耦电容的问题。  

"具有连接管理器的 TMS320F28384x 实时微控制器2023年6月"数据表状态显示在表6-1、PG。 对于 VDDIO、对于每个"3.3V 数字 I/O 电源引脚、在每个引脚上放置一个最小0.1uF 的去耦电容器"。 基本上 无法在每个引脚上放置0.1uF 电容器、因为有32个引脚、其中一些引脚嵌入了 BGA、您无法访问。  

我们的方法是在 VDDIO 引脚附近放置16 0.1uF 的电容器以及一个2.2uF 的电容器、使该组上的总电容高达3.8uF、大于数据表中列出的3.2uF 最小值。 我们的设计与 TMDSCNCD28388D 演示板配置类似。 (图片如下)。  

我只是想澄清一下、这是可以接受的、尽管它与数据表相反。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Nick、

    这些电容器的目的是将噪声与电源去耦。 在每个引脚附近都需要连接二极管。 当然、最好将它们放在更近的位置、但距离越远也是可以接受的。 数据表指南是这里的法律条文、也是我的官方建议。

    只要电容分布良好并且各自电源轨上的系统噪声不是过多、该器件就可以在非正式情况下使用更少的电容正常运行。 这样做时、产生 EMI 和干扰源的可能性会增加、但实际上可以通过减少电容来有效缓解 EMI 和干扰源。  

    这些是去耦电容器、而不是大容量电容器。 从电源稳定性的角度来看、不需要添加2.2uF 电容器。 它 也可能对噪声没有帮助、除非它在您的系统中的噪声的适当频率下去耦噪声。

    此致、
    科迪  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    科迪,谢谢你的解释!

    您能解释一下为什么 TI 自己的  TMDSCNCD28388D 演示板未遵守 VDDIO 去耦电容的数据表要求吗?

    谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    ccard 尺寸受限(不是一个好借口)、因此需要保持较小的尺寸。 更重要的是,我的老板当时说"呃,它会是好的",我选择不竞争。

    正确的做法是遵循数据表并添加建议的1个电容器/引脚。

    此致、
    科迪