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[参考译文] TMS320F2800157-Q1:X1输入电压配套

Guru**** 2540610 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1358913/tms320f2800157-q1-x1-input-voltage-confrimation

器件型号:TMS320F2800157-Q1

您好、专家!

F2800157QPMR 正在客户侧进行评估。 F2800157-Q1上存在 X1和 X2问题、您可以帮助检查一下吗? 谢谢。

问题描述:

请参阅以下 F2800157QPMR 的原理图、晶体为 CSTNE20M0VH3C000R0。

当 X1的客户测试结果时,X1上的电压低于1.9V。数据表显示 VIH 为0.7*VIH(2.31V) VIO。

我们还更改晶体上的串联电阻、X1和 X2波形相同。

我们还检查 EVM (LAUNCHXL-F2800157)上的波形、X1上的波形也为1.8V、小于 0.7* VIO。

这是否有任何风险?  

客户设计原理图:

X1和 X2波形:

CH1是电源;CH2为 X1、CH3为 X2。

串联电阻 R501为68R

2.  串联电阻 R501为0r

3. 串联电阻 R501为 10R

数据表说明:

此致

郭松珍

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Songshen:

    根据示波器截图、我看不出 X1 VIH 只达到1.9V。  在我看来、当以 GND 为基准时、所有3个电阻器值实例的 X1电平都达到了高于规格、我假设左侧的实心 ch 2蓝色标记指向该规格。  VIH 应以 GND 为基准、而不是以峰峰值为基准。

    仅为限制流入晶体的电流而添加串联阻尼电阻、从而更大限度地降低功耗、并且不超过 f2800157晶体振荡器电路可提供的最大功率。  晶体振荡器电路可提供最大1mW 的功率。

    请检查客户是否已对所选晶体的功耗进行特性描述、并据此确定是否需要阻尼电阻器。  我已经检查了  CSTNE20M0VH3C000R0的参数、它看起来符合20MHz 的 ESR。

    此致、

    约瑟夫