工具与软件：
大家好！
一个应用程序重写了 从闪存引导的器件的引导加载程序。
如果我 将 应用程序和引导加载程序加载到器件、一切都会正常运行。 但是、当我 使用应用程序重写引导加载程序时、器件不会重新启动、但会收到闪存不可纠正的错误。 我已经在重写引导加载程序之前和之后尝试了读取引导加载程序的闪存、该存储器是相同的。
如果我尝试使用 UniFlash 读取存储器、器件会突然启动、一切都正常、直到我再次尝试重新启动它、此时它又无法启动。
谢谢。此致
您好！
我们的应用程序存储在闪存扇区 S1至 S7中、引导加载程序存储在扇区 S0中。 因此、我们将尝试从不同的闪存扇区中重写扇区 S0。 闪存 API 存储在 RAM 中。
在读取存储器时、我们会看到 存储器已成功重新写入、但程序 并未开始运行。
通过调试器、我们可以看到处理器到达位置0x3FB114、这是 NMI 寄存器的屏幕截图。
谢谢、此致
您好！
下面是 CCS 中的一个简短片段、在这里、代码在重新加载引导加载程序并执行 CPU 复位后卡住。
谢谢。此致。
您好、Skyler：
目前、我无法使用 Fapi_Auto EccGeneration 模式。 我会尽力解释为什么,也许你能帮我。
我们的 PC 程序将.srec 文件发送到我们的应用程序、然后将引导加载程序加载 到闪存(sectro S0)中。 该 PC 程序将逐行 srec 文件发送到我们的应用程序、然后将该行加载到闪存中。
下面我将介绍生成 CCS 的 srec 文件部分：
每行有15个数据字。 要使用 Fapi_Auto 生成 模式、我需要更改 srec 文件、以便每行有4、8或16个字的数据。 这是(我认为 TI 论坛是不可能实现的)在 CCS 中无法实现的。 所以我尝试使用 srec_cat 工具、但没有成功。
如果你能帮助我,我会很高兴吗?
此致
