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[参考译文] LMK3H0102:原理图问题

Guru**** 2494635 points
Other Parts Discussed in Thread: LMKDB1204, LMK3H0102

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1551231/lmk3h0102-schematic-question

器件型号:LMK3H0102
主题中讨论的其他器件:LMKDB1204

工具/软件:

您好、


我对有疑问 LMK3H0102A015RERR EVB。 我注意到两者都保留了 π 型滤波器电路 VDD VDDO 电源轨供电、如下所示。
但是、我在数据表中找不到任何具体提到这一点的地方。

  1. 是否有必要在这些电源轨上实施 π 型滤波器? 如果是、您对焊珠规格有任何建议吗?

  2. 对于下面原理图中显示的去耦电容器、是否可以使用  1μF 和 0.1μF  是否为 VDD 或 VDDO?

谢谢!

Jeff

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    Jeff、

    1. PI 滤波并非严格要求、但为了获得出色的相位噪声性能、建议使用 π 型滤波。 我们使用 Wurth Elektronik 742792656 铁氧体磁珠。
    2. 电容器选型没有问题。

    谢谢、

    Kadeem

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    尊敬的  Kadeem:

    明白了、谢谢!

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    尊敬的 Kadeem:

    我更新了 π 型滤波器和布局、请帮助确认可以使用。 谢谢!

    e2e.ti.com/.../MUX_5F00_CLKGEN_5F00_sch.pdf

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    Jeff、

    对于 LMK3H0102、这看起来很好。 我将重新分配我们的缓冲器专家、以查看 LMKDB1204 的原理图和布局。

    谢谢、

    Kadeem

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    Jeff、

    对于 LMKDB1204、您能否指明去耦电容器在哪里? 通常、这些需要尽可能靠近器件放置。  

    我唯一建议的另一件事是确保包覆 DAP 中的过孔、即将过孔放置在将应用焊锡膏的区域。

    谢谢、

    Michael

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    您好、Michael:

    请参阅下面的 去耦电容器位置。 是否需要修改? 谢谢!

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    这些似乎都足够靠近 LMKDB1204。 似乎没有必要进行修改。

    谢谢、

    Michael

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    您好、Michael:

    明白了、谢谢!

    Jeff