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[参考译文] TMS320F28335-Q1:TMS320F28335-Q1 IC 通过串联阻尼电阻器与晶体相连接、从而将器件降低到晶体的驱动电平范围内

Guru**** 2933120 points

Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28335-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1642622/tms320f28335-q1-tms320f28335-q1-ic-interface-with-crystal-via-series-damping-resistor-to-reduce-to-within-drive-level-of-crystal

器件型号: TMS320F28335-Q1

尊敬的先生:

我使用 TMS320F28335-Q1 IC 并在控制器的 X1 和 X2 引脚上连接到外部晶体 22.1184MHz (CL=12pF、ESR=50 Ω、最大驱动电平 100uW)。 在 X1 引脚和晶体之间串联放置一个 1k Ω 串联电阻、以降低晶体功耗。 微控制器内核电压为 1.8V。 晶体制造商: Abracon. 其陶瓷基础 SMD 晶体、符合 AEC-Q200 标准。  

我的 5 个查询:  

1) 对于此 TI 微控制器、是否必须在“X1 引脚和晶振“或“X2 引脚和晶振“之间放置 1k Ω 的串联阻尼电阻? 我开始知道它必须放置在 X2 线路上。

2) 如果它必须放在 X2 引脚侧,那么它如何工作,因为我放置在 X1 引脚侧?

3) 内部的 TI 微控制器是否已经有串联阻尼电阻?

4) TI 微控制器侧的最大驱动电流是多少。 它将在 X1 和 X2 线路上通过多少电流?

5) 多少串联阻尼电阻可以将晶体功耗限制为最大 25uW? (22 欧姆至 1000 欧姆 — 考虑到我的设备工作温度–40 至 71°C,哪一个是最佳值)?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    对于您的初始问题、Rd 需要放置在 X2 网络上、因为这是驱动 XTAL 的位置、因此在此处的 Rd 会降低 XTAL 看到的电流。  我不相信 X1 网络上的放置会对阻尼产生任何影响。  x1 本身是高阻抗节点。

    根据其他 E2E 帖子、我认为振荡器电路的最大驱动电平为 100uW。  如果您的晶体能够处理这个量、我们可以完全绕过 Rd 并将其从 X1 电路中移除。  否则、我们确实需要一个 Rd、并且应按照上面的说明将其移至 X2。

    否、内部振荡器没有内置的阻尼电阻器。  内部有一个射频、因此无需添加到设计中。

    如果需要、我会从较小侧的 Rd 开始、以免对驱动电流限制太多、从而使 XTAL 快速启动。  同样、如果 XTAL 可能需要高达 100uW 的功率、则根本不需要 Rd。

    好极了
    Matthew