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[参考译文] LMX2572:关于 LMX2572 修订版 B 中电容器值变化和锁定不稳定性的问题

Guru**** 2914580 points

Other Parts Discussed in Thread: LMX2572EVM, LMX2572

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1649676/lmx2572-question-about-capacitor-value-changes-in-lmx2572-revision-b-and-lock-instability

器件型号: LMX2572

您好:

我想了解 LMX2572/LMX2572EVM 的修订版 A 和修订版 B 之间电容值的变化情况。

我们当前正在评估 LMX2572EVM、并发现电源和偏置引脚上的去耦电容值对 PLL 运行具有重大影响。

具体来说、当使用修订版 A 中较大的电容值时、PLL 无法正确锁定、并显示类似于失锁情况的不稳定行为。

在某些情况下、重复下电上电/断电最终会使 PLL 正确锁定、因此我们怀疑这可能与启动序列或内部 VCO 校准时序有关。

另一方面、当更改为修订版 B 中建议的优化电容器值时、PLL 正常锁定并稳定运行。

根据数据表修订历史记录、在修订版 B 中更改了 VccVCO、VccVCO2 和 VregVCO 的电容器要求

请提供以下方面的一些技术背景信息:

  • 修订版 B 中电容值发生变化的原因
  • 当使用较大的电容值时、会导致锁定故障或运行不稳定的机制
    (例如,对内部 LDO 稳定性、功率斜坡时序、POR 行为或 VCO 校准时序的影响)

我们想了解这些更改的确切原因、以确保我们的设计稳定运行。

感谢您的支持。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    我们的芯片中有内部 LDO、LDO 需要外部滤波电容器。 LDO 的响应时间在很大程度上取决于滤波电容值。 电容值越高、LDO 噪声性能越好、但会增加 LDO 响应时间。 已选择 Rev B 数据表中建议的电容值来平衡响应时间和噪声性能。  

    如果 VCO 校准在 LDO 未完全稳定时开始、则校准可能会失败、或者校准可能无法返回最佳设置。

    如果您的应用要求 PLL 在从断电状态恢复后快速锁定、您可能还需要调整 LDO_DLY 的寄存器值。 请参阅数据表第 8.1.12 节以了解详细信息。