Other Parts Discussed in Thread: LMX2572
器件型号： LMX2572
尊敬的 TI 支持部门：
当使用 R0 寄存器（电源保持在 3V3）为 LMX2572 断电和备用供电时、我们测量到较大的浪涌电流和电源轨上的下降（连接到 VccBUF 以外的引脚）。 此下降可能会低于 3V、我们的问题与可能的欠压情况有关、在这种情况下、由于电压下降至低于最小电源电压、在上电后无法确定寄存器中的值。 我们还能够在 LMX2572 评估板上测量此下降（低于 3V）。 由于浪涌电流较高、使用建议的 1R5 Rtps 时、骤降自然会更差（更接近 2V）。
我们想知道这一压降在上电期间是否允许、或者它是否影响寄存器值、以及是否能够解决、或者由于某些内部特性（也许是内部 LDO？）而导致。 我无法找到有关应用手册/数据表等的任何信息
谢谢你。
嗨、Noel。 这些是来自 LMX2572 评估模块的测量结果。 一切都已根据需要设置、3V3 电源由电流限制为 3A 的直流电源提供给 LMX2572 电路板。 合成器启动、然后切换 R0 中的 POWER_DOWN 位、并在从断电到上电时捕获瞬态波形。 电压在 VCC 测试点测量、电流使用电源电缆上的电流探头测量（在评估设置中运行时，合成器在 90mA 周围消耗偏移）。 您可以看到、上电时浪涌较大、产生的电压降至 3V 以下。 同样、这一切都是在使用直流电源的评估板上测得的。 这是使用其他几个直流电源实现的：结果相同。 这也是我们使用自己的电源在电路板上进行测量时看到的相同结果。 同样、这里使用了多个不同的 LDO/稳压器、以及电路板的直流电源直接供电。 具有相同的结果。 当然、电流消耗可以通过一个电阻器来限制、但压降会变得更糟（因此是 3.3V -> 2V）。 此外、在所有电源/测试中测量了两个峰值的浪涌电流的形状。 如果您能够在评估板上复制此行为、请告知我。
您好、Andrew、
很抱歉让您等了、我已经把一些东西严重绑了起来。
我已经在实验室中进行了检查、可以看到当 CE 变为高电平时会出现电压滴漏、这可能是由于大浪涌电流较高。
当 CE =低电平时、所有 Vcc 引脚滤波电容器都充满电、因此浪涌电流必须来自其他位置。
该器件具有内置 LDO、当 CE =低电平时、会将其分流。 浪涌电流可能来自它们。
如 EVM 原理图中所示、有几个 10µF 电容器连接到 LDO。 当 CE =低电平时、引脚电压为零。
我将它们更改为 1µF、电压滴漏会减少。
由于电容值会影响 LDO 的噪声性能、除非我们再次进行全面验证以确认我们可以使用较低的电容、否则目前不建议更改电容值。
为了降低浪涌电流的影响、我们需要在 PCB 布局中更好地工作。 尽可能减少从电源源到 LMX 器件的电阻。
