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您好,
1.对于LMX2594 EVM板原理图,R32 =100 Ohm寄存器为DNP,LMX2615 EVM板原理图R32=100连接在何处。如果我必须使用一个输入RF引脚来代替两个,那么我们应该怎么做?
我们是否应该使用R32寄存器?
VCCBUF,VCCDIG,VCCCP,VCCMAH,VCCVCO2, VCCVCO?
3.如果我们在3.15 电压以下或高于3.45 电压的情况下操作LMX2594,会发生什么情况。
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您好,
1.对于LMX2594 EVM板原理图,R32 =100 Ohm寄存器为DNP,LMX2615 EVM板原理图R32=100连接在何处。如果我必须使用一个输入RF引脚来代替两个,那么我们应该怎么做?
我们是否应该使用R32寄存器?
VCCBUF,VCCDIG,VCCCP,VCCMAH,VCCVCO2, VCCVCO?
3.如果我们在3.15 电压以下或高于3.45 电压的情况下操作LMX2594,会发生什么情况。
您好,Nilesh:
在LMX2615EVM中,实际上不需要R32,我们已在新构建的EVM中将其删除。 您可以将其从主板上卸下,使用其中一个OSCin输入作为参考时钟输入。
器件的电流消耗将根据寄存器配置,VCO频率,充电泵输出等而变化。对于2050MHz输出和100MHz输入的任意典型配置,我发现以下内容:
VccDIG:63mA
VccCP:26mA (充电泵设置为15mA有效增益)
VccBUF:193mA (一个输出处于活动状态-两个输出处于活动状态时增加约92mA。 包括电流至外部上拉)
VccMAH:18mA (第3次订购,61.5)
VccVCO + VccVCO2:130mA (如果需要,我可以将它们分开,从之前的测试中提取原始数据,然后将它们分组)。
总计:~430mA
器件的特性介于3.15V和3.45V之间。 在这一范围之外,还可以,您可能会获得与数据表所示类似的性能。 如果电压远离此范围,您可能会看到不同的性能,或者设备可能会受到伤害。