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[参考译文] LMK03328:NVMCRCERR

Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: LMK03328

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1114412/lmk03328-nvmcrcerr

器件型号:LMK03328

大家好、支持团队

我们正在使用 LMK03328开发广播 FPGA 板。

LMK03328在软引脚模式下运行。

另一天、该板的交货目的地发生了故障(2020年4月交货)。

我已检查此电路板、并在 LMK03328处发现 NVMCRCERR 为 H。

可通过覆盖 EEPROM 来清除 NVMCRCERR、但我不知道是什么导致 EEPROM 数据变乱。

请告诉我 EEPROM 数据出现乱码和 NVMCRCERR 的原因。

顺便说一下、写入 EEPROM 不是在发送目的地执行的。

此致。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kazumi、

    根本原因是 EEPROM 数据写入器件时的电压裕量。

    向器件的 EEPROM 写入数据时、存在一个电压阈值(0.8V)、该阈值决定写入的数据是高电平(1)还是低电平(0)。 对于损坏的地址,用于确定数据状态的 FET 的电压可能接近阈值,因此会破坏该地址生成的状态。

    与 EEPROM 是否被写入无关、器件必须先清除 CRC、然后再继续执行任何启动序列(校准等)。 这是因为器件在 EEPROM 模式下启动。  因此,由于我们无法清除 CRC,因此我们得到的设备无法正常工作。

    解决此问题的方法是执行以下操作之一:

    1.按照您的操作重新编程 EEPROM。

    2.在硬引脚模式下启动(HW_SW_CTRL = 1)。

    此致、

    起亚拉赫巴

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好起亚,

    感谢您的支持。
    如果写入时施加到 FET 的电压接近阈值、这是否意味着写入 EEPROM 时可能会出现乱码数据?

    如果是、用户在写入 EEPROM 时是否有办法确保足够的电压远高于阈值?

    我知道 HOU 要清除 CRC 错误。
    谢谢你。

    此致。

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    您好 Kazumi、

    不幸的是,我目前无法详细解释根本原因。 以上说明是我从我们的设计团队收到的信息、我们设计团队对根本原因的全面分析将在8月底/9月初之前提供。

    我们的设计团队已经确认、对 EEPROM 进行重新编程或在 ROM 模式下启动将解决此问题、并且不会导致器件性能下降。

    在我们的设计团队深入探讨问题后、我可以提供有关根本原因的详细说明。

    由此给您带来的不便、我们深表歉意。

    此致、

    起亚拉赫巴  

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    您好起亚,

    感谢你的答复。

    如果是在9月之前、我想详细解释一下根本原因、这一点无关紧要。

    此致。

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    您好 Kazumi、

    听起来不错。 我将在9月向您提供最新信息。

    我现在将关闭此主题、并在得到详细说明后重新打开。

    此致、

    起亚拉赫巴