大家好
如果我们问 LMK05028、您会介意吗?
在表4中、显示了 XO 输入缓冲器模式。 
在图31中、说明了直流耦合 LVDS 的情况。
似乎存在内部端接。 
但是、在表4中、如果为0h、则无法在设置时选择内部端接。
因此、作为结论、 对于直流耦合 LVDS、我们应该使用= 100 Ω 的外部终端、对吧?
此致、
大田松本
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
Hirotaka - San、
是的、表有点混乱、GUI 也不允许直流和内部端接:
但是、有手动编程的权变措施。
如图26所示、该信号始终在内部进行交流耦合、因为28pF 电容器始终导通。 但是、表5中的"交流耦合"意味着在外部存在交流耦合电容器、因此驱动器不会设置共模、并且必须打开内部弱偏置。
通过将2h 编程到接口类型寄存器(通过 GUI 获取此信息、必须在 RAW 寄存器选项卡中完成、因为这不是下拉菜单的一部分)、您将能够使用100欧姆的内部终端。 信号必须具有~1.25V 的共模电压并满足摆幅要求。
谢谢、此致、
Amin
Amin San
您有 一个提供直流耦合输出的振荡器吗? 什么是共模?
->是,直流耦合输出,然后 VOS=1.25V。 我们提到了 XO 输入。
寄存器映射(SNAU233)和数据表之间存在差异、如下所示;
寄存器映射表41
3-0 XO_DIFF_TYPE R/W X
0h = 2.5V LVCMOS 或 DC-DIFF (内部终端和偏置关闭)
1h = AC-DIFF (内部端接关闭、偏置打开)
2h =Ω 差分(内部100 μ A 差分和偏置打开)
4h = HCSL (内部50 Ω 至 GND 且偏置关闭)
在数据表中,表4;
0h LVDS、CML、LVPECL、LVCMOS (直流耦合)
1h LVDS、CML、LVPECL (交流耦合)
3h LVDS、CML、LVPECL (Ω 耦合、内部100 μ A)
4h HCSL (直流耦合、Ω 50 μ A)
哪一项是正确的?
除非我们与 TICSPRO 确认、否则数据表的表格看起来是正确的。
此致、
大田松本
Hirotaka - San、
R38、十六进制值26。 我的部件上有拼写错误。 您是否使用过 TICSpro? 如果您安装并使用、一旦您开始更改 XO 输入类型、将在对话框中看到正在更新哪个寄存器。
XO 接口类型:
我们需要:0001 0010 - 12h。 应启用内部100欧姆电阻。 应启用开关2、禁用开关3。 当您对原始寄存器进行编程时、GUI 中的字段将变为空白、因为它尚未更新以支持直流耦合内部终端。
谢谢、此致、
Amin