[参考译文] CDCE949-Q1：LVCMOS 时钟输入模式

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器件型号：CDCE949-Q1

大家好、

1) 1)为什么 EVM 在时钟输入端具有交流耦合(C4)、即使它是 LVCMOS 输入端也是如此？

2) 2)对于 IBIS 模型上的 XIN/CLK 引脚、建模了哪个 XTAL 输入或 LVCMOS 输入？我的客户希望使用 LVCMOS 输入模式进行仿真。

3) 3)在 LVCMOS 时钟输入模式下、负载电容设置应设置为0pF？还是无关？

此致、

0 admin 4 年多前

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您好、Atsushi、

默认情况下、EVM 使用27MHz、因此未使用交流耦合外部时钟(具有用于外部偏置的占位符)。但是、如果输入是 LVCMOS 格式、则无需交流耦合电容器。

据我所知、IBIS 模型仅描述输出特性、不包括相位噪声。因此、输入信号类型/质量无关紧要。

负载电容用于 XTAL 输入。无需为 LVCMOS 输入添加任何电容接地。

此致、
Hao

0 admin 4 年多前

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Hao San、

IBIS 是"I/O 缓冲器信息规范"、不仅适用于输出、还适用于输入。客户需要输入特性来分析输入信号反射、等等。我认为它在 XTAL 模式或 LVCMOS 模式下具有不同的阻抗/特性。

因此、我想知道在 IBIS 模型中建模了哪种模式、并且想要 LVCMOS 模式版本。

对于负载电容设置、我想知道负载电容是在 LVCMOS 模式下自动断开并被忽略、还是需要注意(在0x05地址处设置0x00)。

此致、

0 admin 4 年多前

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大家好、Atsushia-San、

如果不是不可能的话、很难对 XTAL 输入建模。也不需要它、因为 XTAL 输入不需要信号完整性分析。因此、如果对输入建模、它只能是常规输入、即 LVCMOS。

LVCMOS 和 XTAL 输入需要非常不同的缓冲/驱动电路。因此它们彼此隔离。为 XTAL 设置的负载电容不会影响 LVCMOS 输入。

此致、
Hao

时钟和时序（参考译文帖）(Read Only)