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[参考译文] CDCI6214：EEPROM 编程过程

admin
Guru**** 2587365 points
Other Parts Discussed in Thread: CDCI6214

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/906826/cdci6214-eeprom-programing-procedure

器件型号：CDCI6214

您好！

我们想问一个有关 CDCI6214的问题。
我们有时会遇到无法正确写入 EEPROM 页值的问题。
您能检查我们的编程程序吗？

CDCI6214引脚设置
- REFSEL：低电平
－ROMSEL：高电平

访问流程为：

为 CDCI6214加电
应用 RESETN=低电平
应用 Resfel=低电平、EEROMSEL=高电平
应用 RESETN=高电平
使用 I2C 接口使用地址0x76配置器件
6.准备由64个字组成的 EEPROM 映像
使用 EE_LOCK 0x05解锁 EEPROM 以进行写入访问
将初始地址偏移量写入地址 bit_field。 将0x00写入 NVM_WR_addr。
通过将映像中的每个字写入 NVM_wr_data、从地址0到63循环浏览 EEPROM 映像。
10.掉电/上电 CDCI6214

此致、

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    TI__Guru**** 2587365 points
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    您好！

    EEPROM 编程过程看起来正确。 您遇到了什么问题？

    此致、
    Hao

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    TI__Guru**** 2587365 points
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    您好 Hao、

    感谢您的快速回复。

    我们知道我们的编程程序是正确的。

     

    正如我之前告诉过的、我们有时会遇到无法正确写入寄存器的问题。

    我们准备数据并将其写入 CDCI6214。

    但是、CDCI6214有时无法正常工作。

    似乎所有寄存器值都没有正确设置。

     

    根据数据表、EEPROM 字写入访问的时间通常为8ms。

    我们每10ms 将数据写入 NVM_WR_DATA。 10ms 是否足够？

     

    我们不知道为什么这个问题有时会发生。

    如果您给我们一些建议、我们将不胜感激。

     

    此致、

    2020年5月27日

    如果您需要有关此问题的更多信息、请告诉我。

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    TI__Guru**** 2587365 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    您能否更具体地说明您看到的内容以及测试的内容在其无法正常工作时的具体情况？ 到目前为止、如果没有更详细的症状、我无法判断出可能出现的问题。 您说它有时不能正常工作、那么它实际上有时也能正常工作吗？

    首先、请在构建 EEPROM 映像之前检查并确保寄存器设置正确。 写入64个 EEPROM 字后、您可以重启芯片并读回 EEPROM 映像进行比较吗？ 这将是一个很好的彻底检查、以了解它是 EEPROM 写入问题还是寄存器设置问题。

    此致、
    Hao

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    TI__Guru**** 2587365 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Hao、

    感谢你的答复。

    不能写入 EEPROM 页值的％率小于1 μ s。

    写入64个 EEPROM 字后、读回 EEPROM 映像和 conpare。
    寄存器的内容在正常操作和发生问题的情况之间是不同的。
    如果发生此问题、如果重复多次相同的编程过程、则写入正确的数据。

    请考虑以下建议和问题。

    ・您能告诉我们您的电子邮件地址来发送注册内容。

    ・EEPROM 字写入访问时间通常为8ms，但最大值是多少？

    此致、

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    TI__Guru**** 2587365 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    我已向您发送了一封电子邮件。 请检查。

    此致、
    Hao