• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 5 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 160 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPL5110-Q1：如何避免强制驱动复位？

admin
Guru**** 1831470 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS5110, TPL5110
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/921169/tpl5110-q1-how-to-avoid-forced-drive-reset

器件型号：TPL5110-Q1
主题中讨论的其他器件：TPS5110、 TPL5110

您好！

在我们的应用中、我们需要 MCU 在大多数时间内睡眠并根据定义的间隔读取读数。 延迟时间配置为大约60s 的 TPS5110可很好地完成此任务。 大部分情况下、读取 MCU 任务会在60年代完成、我们都很好。

但是、这些读数必须在一段时间内通过 GPRS 网络传输一次。 GPRS 活动所需的时间更长、延迟时间达到60s 时、TPL5110会发出50ms 脉冲以进行驱动。 这会在 MCU 上执行下电上电。 我们正在寻找某种方法来避免该脉冲、除非 MCU 发出 DONE 标志。 我们通过在驱动引脚上添加 RC 电路来过滤脉冲进行了实验、但它似乎可以与带有一些外部组件的松散连接的评估板配合使用、但不能在我们刚刚制造的 PCB 上工作。

请提出处理这种情况的最佳方法是什么？

  • 0
    TI__Guru**** 1831470 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    对于此应用、我认为您的方法是处理此问题的最佳方法；只需滤除50ms 脉冲即可。 首先尝试调整 PCB 上 RC 电路的值。 R 和 C 值是多少？

    此致、
    通道

  • 0
    TI__Guru**** 1831470 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Lane、

     

    感谢您的回复。 请查找以下原理图。 我们使用1K 和100uf 作为 RC。 我知道100uF 是高电平、但我们还使用100k 和1uF 组合进行了测试。

    我们面临的主要问题是 、在50ms MOSFET 复位期间、DRV 和 DONE 引脚上的开关瞬变。

    黄色：DRV 引脚

    青色：完成(请观察瞬态)

    粉色：M_DRV

    DONE 时的瞬态振幅约为3V、这会导致计时器复位。 此处需要注意的是、对于 EVAL 板、我们没有遇到这些瞬变。

    就 PCB 布局而言、升压转换器输入电容非常靠近100uf RC。 DRV 引脚上用于 RC 的轨迹宽度为8mil。

     

  • 0
    TI__Guru**** 1831470 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

  • 0
    TI__Guru**** 1831470 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您分享所有信息、我现在就了解了问题。 我不确定是什么导致了这些瞬变。 也许它是从过孔或迹线耦合的、如果不是来自主机的一些错误信号。

    DONE 引脚上的 RC 值为100ms；我希望该瞬态能够被更多地滤除。

    您能否放大瞬态？ 您可以使用 DRV 在同一个图上执行它。

    此致、
    通道

  • 0
    TI__Guru**** 1831470 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    问题似乎是由于为 C7提供了替代充电路径的 MOSFET 泄漏。 在栅极和 C7之间添加了一个100K 系列、以增加充电延迟。 这似乎解决了这个问题。