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器件型号：CDCE62002 在 EVM 中、选择 LVDS 输入缓冲器、设置 INBUFSELX = 1、INBUFSELY = 0。 数据表指示为了在输入上选择 LVDS、它应该为(X、Y)=(01)。
EVM 有误或数据表。 哪一个是正确的？ 我倾向于数据表是否正确、因为修订历史记录中有一条注释说明位0和位1已更正。
此外、当数据表中的某些参数列在右侧、而其他参数列在右侧、MSB 时、这种情况非常令人困惑。 所有输入和输出缓冲器选择位在右侧列出 MSB、智能多路复用器位在右侧列出、所有其他参数在右侧列出 LSB、如表所示。
寄存器2中有许多位被列为保留或仅供 TI 使用。 但是、数据表并未指示写入寄存器2时应写入这些位的内容。 我已经将这些位设置为零、这是正确的吗？
最后一条评论。 EVM 软件有一个按钮用于 EEPROM 写入、另一个按钮用于 EEPROM 写入+锁定。 数据表在修订历史记录中显示、删除了对 EEPROM 锁定的引用。 此功能不再可用吗？ 在任何情况下、我都无法使 EEPROM 功能正常工作、这并不是什么大问题、因为我不需要。
谢谢
Jerry Ethridge
SR 硬件工程师
由 Harman 提供的 AMX -达拉斯
3000研究驱动器
德克萨斯州理查德森 75082
电话：469.624.7611
