请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：CDCLVC1310 大家好、
我对晶体振荡器输入的旁路模式有疑问。
如果我将输入时钟选择引脚设置为11、这意味着我选择 XTAL 旁路模式。
这意味着我可以在没有 C1、C2和 R 的情况下将50MHz 晶体振荡器直接连接到 XIN 引脚和 XOUT 引脚。对吗？
另一个问题、建议何时选择旁路模式？
非常感谢！
Lacey
大家好、
我对晶体振荡器输入的旁路模式有疑问。
如果我将输入时钟选择引脚设置为11、这意味着我选择 XTAL 旁路模式。
这意味着我可以在没有 C1、C2和 R 的情况下将50MHz 晶体振荡器直接连接到 XIN 引脚和 XOUT 引脚。对吗？
另一个问题、建议何时选择旁路模式？
非常感谢！
Lacey
您好、Lane，
感谢您的回复！
那么、对于旁路模式、我更好地选择高性能晶体振荡器了吗？ 正确吗？
此外、您能否帮助引入 XTAL 模式和 XTAL 旁路模式之间的差异？ 比如我们器件内部电路的差异和性能差异？
有关输出电流的另一个问题。
我在数据表中发现、输出电流处于建议的工作条件下
那么、IOH 和 IOL 是 最大总输出电流吗？ 这意味着对于10个输出、每个输出的最大电流为2.4mA？
非常感谢！
Lacey
您好 Lacey、
对于晶体振荡器、您可以省略外部负载电容。
对于 XIN 输入的两种工作模式、晶体的集成负载电容保持在适当位置。
根据晶体振荡器的驱动能力、可能需要减小 IN_SEL[1：0]= 0b10模式的摆幅、因为最大摆幅不应超过2V。由于晶体有一些偏置电路、 您将需要交流电容来避免对晶体振荡器输出级的影响。
在"旁路模式"中、一个独立的输入缓冲器被激活、此缓冲器旁路掉一个晶体振荡器的一部分并禁用偏置电路。 因此、可以提供高达 VDD 满摆幅的正常 LVCMOS 信号。
| IN_SEL1 | IN_SEL0 | 选择的输入 | LVCMOS 最大摆幅 |
| 0 | 0 | PRI_IN | |
| 0 | 1 | SEC_IN | |
| 1 | 0 | XIN、晶振输入级 | 2V |
| 1 | 1 | XIN、晶振输入级、旁路路径 | VDD |
关于电流：每个 LVCMOS 输出为24mA。 在应用中、您必须考虑在发生短路时不能超过此限制。
此致、
Patrick
