主题中讨论的其他器件: LMK61E2EVM、 LMK61E2
你(们)好。
我注意到 LMK61E07的相位噪声不如进行 I2C 操作时好。
我曾尝试定期发送命令 以更改 LMK61E07频率、或发送命令仅 读取产品 ID、或将非 I2C PRN 数据发送到芯片上的 I2C 端口。
上述三种情况都会使 LMK61E07在与 I2C 端口通信相关的边带处的相位噪声严重恶化。
请参阅随附的下图。
谢谢。
此致、
涉水
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
你(们)好。
我注意到 LMK61E07的相位噪声不如进行 I2C 操作时好。
我曾尝试定期发送命令 以更改 LMK61E07频率、或发送命令仅 读取产品 ID、或将非 I2C PRN 数据发送到芯片上的 I2C 端口。
上述三种情况都会使 LMK61E07在与 I2C 端口通信相关的边带处的相位噪声严重恶化。
请参阅随附的下图。
谢谢。
此致、
涉水
您好、请查看附件、了解我们在 I2C 总线上进行连续写入时在 EVM 中看到的内容。 按照 Shawn 的建议、请分享原理图供我们审阅。 非常感谢。
感谢这两个!
我一直在使用硅实验室评估板 Si5xxUC-EVB。
www.silabs.com/.../ug298-si5xxuc-evb-ug.pdf
微控制器已禁用。
Xilinx KC705上连接了 SDA、SCL 和 GND 这三条线。
这是否仅仅是因为 EVM 来自错误的公司...?
似乎没有明显的缺陷、我也添加了很多去耦电容器。
非常感谢。
大家好、
我们已购买 LMK61E2EVM 并对其进行了测试。
默认频率看起来与 数据表指定的频率相同、但是、当设置 为不同的频率(我们要使用的频率为125MHz)时、性能要差得多。
请参阅随附的图。
我尝试更改内部 PLL 设置、但是、KO (VCO 增益)似乎在任何地方都没有提到。
此外、我发现当 EVM 由外部5V 电源供电、并让 板载 LDO 稳压 器提供3.3V 电压时、噪声比使用外部3.3V 电压直接为芯片供电要差得多。
有什么建议吗?
谢谢。
此致、
Weida
请查找随附的更新结果。 我曾尝试上传 TCS 文件、但是网站却避免了上传。 寄存器值如下所示。
R0 0x0010
R1 0x010B
R2 0x0233
R8 0x08B0
R9 0x0901
R16 0x1000
R17 0x1180
R21 0x1502
R22 0x1600
R23 0x172A
R25 0x1900
R26 0x1A34
R27 0x1B20
R28 0x1C00
R29 0x1D01
R30 0x1E3F
R31 0x1FFF
R32 0x20FF
R33 0x2103
R34 0x2224
R35 0x2327
R36 0x2424
R37 0x2502
R38 0x2600
R39 0x2707
R47 0x2F00
R48 0x3000
R49 0x3110
R50 0x3200
R51 0x3300
R52 0x3400
R53 0x3500
R56 0x3800
R72 0x4802
根据上面的配置、它看起来...
您使用的是 LVDS 而不是 LVPECL、PLL 设置是我使用 LMK61E2 GUI 生成的。 尤其是使用不同的 VCO 频率、分数模式和1.6mA、而不是6.4mA。
请尝试附加此配置、寄存器以供参考:
R0 0x0010
R1 0x010B
R2 0x0233
R8 0x08B0
R9 0x0901
R16 0x1000
R17 0x1180
R21 0x1501
R22 0x1600
R23 0x1728
R25 0x1900
R26 0x1A32
R27 0x1B00
R28 0x1C00
R29 0x1D00
R30 0x1E00
R31 0x1F00
R32 0x2001
R33 0x210C
R34 0x2228
R35 0x2303
R36 0x2408
R37 0x2500
R38 0x2600
R39 0x2700
R47 0x2F00
R48 0x3000
R49 0x3110
R50 0x3200
R51 0x3300
R52 0x3400
R53 0x3500
R56 0x3800
R72 0x4802