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[参考译文] BQ32002：BQ32002时间不当

admin
Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ32002
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/703635/bq32002-bq32002-improper-time

器件型号：BQ32002

您好！

我们正在 定制板中使用 BQ32002 RTC。 当电路板断电一天并在第二天再次通电时、延迟时间为5秒。

如何纠正此计时延迟？



谢谢、

Sharmila

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您需要应用可编程校准功能来补偿晶体频率误差。 校准频率的基本流程如下：

    通过将 FTF 位和 FT 位设置为1、将 IRQ 引脚配置为1Hz。

    使用精度为所需分辨率的精密频率计数器测量1Hz 输出信号(建议至少使用12位计数器)。

    计算以 ppm 为单位的绝对误差：绝对误差(ppm)=|1e6×(fMEASURED–1Hz)/ 1Hz|。

    通过执行以下操作调整频率：
    如果频率太低、设置 S = 1并应用适当的 CAL 位、其中 CAL =绝对误差(ppm)/(1e6/245760)、舍入为最接近的整数。
    如果频率太高、清除 S = 0并应用适当的 CAL 位、其中 CAL =绝对误差(ppm)/(1e6 / 491520)、舍入到最接近的整数。
    注意：由于频率变化很小且在很长的时间间隔内不频繁(根据校准标志每8或16分钟可观察一次)、因此需要有一定的耐心才能观察精确频率计数器上的校准效应。

    示例1：
    假设测得的 IRQ 输出为0.999933203125Hz。 频率误差大约为低66.8ppm。 要将频率增加~66.8ppm、S 将设置为1、CAL 将设置为16 (66.8/4.069)。

    示例2：
    假设测得的 IRQ 输出为1.0000244140625Hz。 频率误差大约为高24.4ppm。 为了将频率减少~24.4ppm、S 将被清零、并且 CAL 将被设置为12 (24.4/2.035)。

    校准仅校正初始偏移、不会针对温度和老化效应进行调整。 这可以通过定期测量温度和使用晶体的特性曲线根据需要调整 ppm 来处理。

    Alan
  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Alan：

     我们无法在 SFR 寄存器(0x22)中将 FTF 位设置为1。  将新值写入寄存器后，当我们尝试读取寄存器时，它将恢复为默认值。

    请建议我 如何将 IRQ 引脚配置为1Hz？

    此致、

    Sharmila

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好！

    我需要为5秒的时间延迟设置什么 ppm 值 ？ 请告诉我校准的备选软件方法。

    请告诉我校准值(大约)以解决5秒的计时延迟。

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    沙米拉

    Alan 和计时团队的其他几位同事本周已经下班了、我不知道答案。 他们将在下周回来时再回来。

    此致、
    Dean
  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    请参阅第7.6.3节"特殊功能寄存器"。

    SF KEY 1和 SF KEY 2寄存器用于启用对主特殊功能寄存器(SFR)的访问。 访问
    只有在特殊功能键被按顺序写入 SF 键1和 SF 键2后、才会授予 SFR。 每次写入
    SFR 之前必须先将 SF 密钥写入 SF 密钥寄存器、顺序依次为 SF 密钥1和 SF 密钥2。

    将0x5E 写入寄存器0x20 (SF KEY 1)。
    将0xC7写入寄存器0x21 (SF KEY 2)。
    将0x01写入寄存器0x22 (SFR)以设置1Hz 校准输出。

    然后、您可以按照前面所述配置可编程校准功能。

    Alan
  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    尊敬的 Alan：

    我已将 IRQ 位配置为1Hz。 是否可以读取 IRQ 的频率并通过软件纠正错误。 ？ 以便我们能够在大规模生产期间轻松校准器件。

    此问题不一致、而且因电路板而异。  因此、如果您可以建议一些软件方法来解决该问题、这将非常有帮助。

    谢谢、

    Sharmila

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    我发现此资源可能会有所帮助。 www.ti.com/.../slap107.pdf。它讨论了影响晶体精度的因素(固有容差、晶体负载、处理、温度、老化)以及将 MSP430/MCU 与温度传感器配合使用的补偿方法。 您可以在网络上找到用于 RTC 补偿的其他资源。 遗憾的是、我在系统/软件实施方面没有太多经验、因为这款产品对我来说是相对较新的支持产品。

    Alan
  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    尊敬的 Alan：

    感谢您的支持。

    如果您在内部检查并告诉我如何使用软件方法解决问题以及如何使用软件获取频率、那将非常有帮助。

    谢谢、

    Sharmila

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    如果 RTC 每天慢5秒、则转换为大约-58ppm 的初始频率误差(=-5秒/天/ 86400秒/天)。  根据这一粗略计算和前面描述的校准流程、尝试编程 S = 1和 CAL = 14来增加频率并校准标称条件下的初始误差。  

    如果您知道晶振的频率与温度特性曲线、则可以使用附近的温度传感器查找来自标称温度条件的+/-频率偏移、然后通过调整标称条件下初始 CAL 设置的 CAL 值来补偿与温度相关的偏移。

    Alan

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    尊敬的 Alan：
    感谢您的支持。

    请告诉我如何计算秒至 ppm。 是否有任何公式可用于计算相同值？

    谢谢、
    Sharmila
  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    1秒/天= 1 /(60 * 60 * 24)= 11.57e-6 = 11.57ppm

    Alan

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    尊敬的 Alan：

    感谢您的支持。

    我能够成功校准并获得 正确的时序。

    由于所有电路板上的漂移都不是恒定的、因此无法在大规模生产中使用这种方法。

    如果能建议一些大规模生产的方法、那将会非常有帮助。

    谢谢、

    Sharmila

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    请参阅随附的使用 MCU 的一些补偿方法、以供您考虑。  您还可以在 Google 上搜索"RTC 补偿"以了解其他想法。

    Alan

    e2e.ti.com/.../MSP430-RTC-Temperature-Compensation.pdf

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    尊敬的 Alan：
    感谢您的支持。
    您能告诉我任何可以解决该问题的硬件更改吗？
    谢谢、
    Sharmila
  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    在数据表的表6.5中、RTC 的预校准精度为+/-35ppm (典型值)。

    +/-35ppm * 3600秒/小时* 24小时=+/-3.03秒

    根据表6.5中的注2：使用参考板设计和 KDS DMX-26S 表面贴装32.768kHz 晶体测量典型精度。 电路板设计和晶体部分的变化会导致不同的典型精度。  

    Kds DMX-26S 频率容差可为+/-20ppm (25°C 时)提供+/-35ppm 的预校准精度规格。  因此、剩余的+/-15ppm 误差可能是由器件和电路板的负载电容变化引起的。

    如果您在电路板中看到一致的时间滞后(-5 s ->-58 ppm 预校准精度)、则表示晶体看到的有效/实际负载电容高于 C_Load (12pF？) 您的晶体模型指定的。

    您是否注意最大限度地减小晶体网络上的 PCB 杂散电容？  您可以尝试最大程度地减小杂散电容的因素：

    1. 从晶振引脚到器件 OSCi/OSCO 引脚使用尽可能短的走线长度。
    2. 晶振焊盘和布线下方的接地/电源层。  还应避免在晶体布线下方或附近布线。
    3. 请勿在晶体布线中使用过孔(将晶体和 IC 保持在 PCB 的同一侧)。
    4. 如果使用通孔晶振、请使用较大的平面反焊盘、并与其他走线保持间隙。

    此外、请检查晶振频率容差规格是否为+/-20ppm 或更低；否则、这可能会导致比我们通常在数据表中指定的频率误差更高的预校准频率误差。

    最后、如果您重新设计晶体布局以减少杂散电容、则可以对其进行过度处理、并使实际 负载低于晶体的 C_Load 规格；在这种情况下、您可以看到一致的时间超前(+ ppm 误差)、而不是时间滞后。  因此、您可以考虑添加尝试使用外部修整电容器(DNP 最初)来测试不同的晶体修整电容器值、直到您能够获得数据表典型规格内的预校准精度。

    Alan

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    尊敬的 Alan：
    感谢您在解决该问题方面的全面支持。
    实际上、只有您建议的校准方法才能解决问题。 我们尝试通过一些硬件更改来解决该问题，但不幸的是，这没有帮助。 我们无法在大规模生产中使用校准方法、因为每个器件中的问题并不恒定。 您是否可以建议有任何 c 应用程序可用于检查时间漂移并根据漂移进行校准？

    谢谢、
    Sharmila
  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    遗憾的是、我不知道任何 C 应用。  如果您使用的是 TI MCU、或许您可以在 MCU 论坛上发布您的请求。  此外、您还可以尝试测试具有更严格频率容差的32kHz XTAL。

    此致、
    Alan