[参考译文] CDCE6214-Q1：cdce6214-Q1

大家好、Kadeem：

我在首次烧写实验后尝试重启 CDCE6214。 然后、我看到 R10已成功更新！ 这是一个很好的试验,但它可能不能解决我的问题。

实际上、如果可能有其他解决方案、我们不希望在刻录 CDCE6214时进行下电上电。

我希望在烧写流程后通过检查 R10=R9来检查 R10是否已使用 R9 CRC 值成功更新。 但现在、我知道在下电上电后 R10=R9。 因此我的问题是、如果我已经检查所有 RW 位是否与我烧录的数据相等、那么在将 CRC 写入 EEPROM 后是否可以跳过校验 R10=R9？ 虽然在 CDCE6214正常工作的条件下 CRC 写入流程碰巧失败时、CRC 错误状态可能会出现、但这不会影响 CDCE6214的功能。

我的意思是 CRC 应该 可以在下电上电后更新寄存器中的值。 CRC 写入流程失败(例如 I2C 链路损坏)可能很低、这会在下电上电后导致 CRC 更新失败、从而在我们的产品正常工作时总是引发 CRC 错误。 但实际上、我们的产品中不会使用 CRC 状态、尽管有 CRC 错误位、但 CDCE6214可以正常工作、对吧？

您好，Kadeem：

您突出显示的句子是否意味着 R10值是在启动期间计算的？ 我认为它指的是 nvmlcrc，而不是 nvmscrc。

您好，Kadeem：

但为什么我们需要一个粉末循环来检查 R10成功更新?  在执行 CRC 烧写流程后、它应等于 R14和 R9、并且我们希望在执行粉末循环之前直接检查 R10。 但测试结果显示、即使我们使用 TICS Pro 工具、在粉末循环之前也无法更新 R10。

大家好、Kadeem：

我们来回顾 CRC 校验流程：

1. 启动时、如果 R9 (实时 CRC)不等于 EEPROM 中的 CRC 存储、则会引发 CDCE6214 R7位5 CRC 错误。
   1. 我的理解是 R10会反射到存储在 EEPROM 中的 CRC、也就是 NVMSCRC

因此、如果我们要刻录 CDCE6214、我们应检查 R9：Live CRC 是否已成功更新为 EEPROM。 这意味着我们需要检查 R10是否等于 R9。 如果在我们烧写后 R10不等于 R9、这意味着我们不确定 NVMSCRC 是否已成功更新。  

因此我的问题是、如果我们需要一个粉末循环来确认 R10是否等于 R9、这会给我们带来很多麻烦。 如果我们不执行粉末循环、则无法确保 R10成功更新。 那么我们该怎么做呢？

您好，Kadeem：

您的意思是、如果我们通过设置该位来执行 UPDATE_CRC、以触发实时 CRC 的重新计算、则 TI 会确认实时 CRC 将成功更新为 EEPROM？ 通过测试、我们在执行重新计算后没有看到 R10立即更新。

Hi Kakeem K ö：

41350是要编程为 EEPROM 还是7677的新 CRC？ 我没有明白您的观点。 您可以尝试以下序列吗：

1. 为 EEPROM 准备初始规范：执行更新 CRC、请勿刷新 EEPROM、读取 R10并确认 R10与 R9相同。(若要确认计算出的所有数据 CRC 已成功存储在 EEPROM 中、R10表示它)
2. 更改某些寄存器、更新 CRC、执行 EEPROM 编程。
3. 读取 R9和 R10、您将看到 R9是不等于 R10 (旧值)的新 CRC 值
4. 执行1或2个粉末循环，读取 R10在每个粉末循环后，您将看到 R10在第1个或第2个粉末循环更新

您可以 尝试该序列吗？ 我一直会在步骤3中进行说明。 R10需要下电上电才能通过该实验更新。

Yang、

我明天会有剩下的结果。

谢谢。

卡德姆

您好，Kadeem：

在您的第一个实验中、这就是我们遇到的执行 UPDATE_crr 会导致 NVMLSCRC 被更新但 NVMSCRC 仍保留旧值、即使我们和您都执行了程序 EEPROM 操作、您仍能获得 NVMLCRC=14660但 NVMSCR=7677。 这是关键问题。 我们无法确定 NVMSCRC 是否在没有任何粉末循环的情况下成功更新。

在第二次测试中、您是指我们需要第二次 CRC 更新步骤而不是下电上电来更新 NVMSCRC 吗？