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[参考译文] CDCE6214-Q1:CDCE6214-Q1的引脚模式

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: CDCE6214, CDCE6214-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/clock-timing-group/clock-and-timing/f/clock-timing-forum/1298928/cdce6214-q1-pin-mode-for-the-cdce6214-q1

器件型号:CDCE6214-Q1
主题中讨论的其他器件:CDCE6214
我正在尝试在 CDCE6214 PCIe 时钟发生器中进行设计、但有一些问题。 您能提供帮助吗?
第一期:
我正在尝试为一些 PCIe 卡设计一个测试背板。 我有三个 x8插槽、每个插槽都需要100MHz 基准时钟。 我想设计 CDCE6214并在"引脚模式"下运行、但不知道如何确保 I/O 已正确捆绑、以确保其确实处于"引脚模式"。 我需要驱动三个100MHz PCIe 参考时钟:OUT1、OUT2和 OUT3。 我不需要 OUT1、我想使用 GPIO 引脚在禁用 OUT4的同时启用 OUT1至3。  
我只想将它焊接在上面、"它可以正常工作"。 无 I2C 总线、不会影响寄存器。 我了解了如何启用 I2C 总线、但数据表中似乎没有具体说明如何启用 GPIO 引脚充当时钟输出的使能引脚。 是否有人可以查看我的原理图(附在下面)并告诉我它是否配置正确?
 
第二期:
数据表中的图35显示了4.7K 欧姆的更强上拉电阻和下拉电阻。 但是产品说明书正文显示使用50k 欧姆。 我应该使用哪一个?
第三期:
我从 Mouser 下载的符号(我认为他们是您下载的)显示了四个引脚、它们分别为 A1、A2、A3和 A4。 数据表中未提及这些引脚。 我对这四个引脚应该怎么做?
 
第四期:
再说一次、我不需要对任何寄存器进行编程。 由于"HW_SW_CTRL"引脚、我可以看到如何选择 I2C、EEPROM Page 0或 EEPROM Page 1。 因为我不想使用 I2C、所以我目前已通过选择 EEPROM Page 0对其进行设置。 但是、EEPROM 基页中/在 EEPROM 基页上是什么? EEPROM 基页是否具有默认寄存器设置? EEPROM 页0是否具有默认寄存器设置? 如果不想将寄存器弄乱、我应该使用哪个 EEPROM 页面? 在将此器件安装到电路板上之前、是否需要对 EEPROM 进行预编程?
非常感谢任何帮助。
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    John:

    1. 第一期:
      1. 您的 XTAL 是否需要连接到 GND 的电容器? 还是仅使用内部电容器? CDCE6214-Q1的内部负载电容器范围为3.0 pF (默认值)至9.0 pF。
      2. 使用铁氧体磁珠隔离不同电源轨的3.3V 电源。 这将降低输出时钟上的噪声。
      3. 妥善做法是为 器件附近的 PCIe 时钟添加串联0欧姆电阻器。 可以根据阻抗匹配的需要在评估阶段对其进行调整。
      4. 通过一个电阻器将 REFSEL 引脚连接到 GND、以便始终选择 SECREF 引脚作为 PLL 的基准。
    2. 第二期:
      1. 这些引脚上的内部电阻器为50k。 使用50k 或4.7k 电阻器是合适的
    3. 第三期:
      1. 这些引脚仅用于安装用途。 这些引脚可以悬空或连接到 GND
    4. 第四期:
      1. 如果两个 EEPROM 页面都配置为引脚模式、则回退模式页面可用作进行 I2C 访问的方式。 该页面上的寄存器在启动时始终保持一致、无法重新编程。 该页面可用于对其他 EEPROM 页进行编程。 这是 TICS Pro 中的"EVM Default"配置。 从 SECREF 上的25MHz XTAL 输入、两个 EEPROM 页面都配置为 OUT1到 OUT4上的100MHz LP-HCSL 输出时钟(数据表显示第40页的 LVDS 不正确、并且正在更新)。 对于引脚模式、请使用 EEPROM 页0。 GPIO 引脚在此页面上针对单独的输出使能控制进行了预配置。

        我建议在需要更改 EEPROM 时使用 I2C 引脚访问。 这样、可以通过使 REFSEL 和 HW_SW_CTRL 引脚悬空来访问回退模式页面。

    谢谢。

    卡德姆

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    第一期:  

    答:我完全忘了问这个问题。  我连接了晶体,就像我在数据表的图表35看到的,不知道在你的芯片内部发生了什么... 我要问这个问题。  很好的捕获  那么、我是使用更少的器件在电路板上、还是人们通常在晶体的每一侧放置盖?  您有什么建议?

    B.使用铁氧体磁珠时的另一个良好捕获结果。  数据表中指出、整个部件最多消耗的是100mA 下的功率。  因此、我在每个输入上放置一个100mA 磁珠、认为这是安全的。  有什么想法?

    C.另一项极好的建议。  停止更新。  (谢谢!)

    不行!  我把它完全分隔开了。  本来是很尴尬的。  谢谢你,谢谢你!

    第二期:

    a.谢谢。  我将把50k 留在那里,并希望他们不会太弱。

    第三期:

    a.谢谢。

    第四期:

    a.我可以去除 I2C 的电阻器 R5和 R6以及拉电阻器 R19和 R8的 POP 音。  谢谢您的提问。

    这是我更新后的原理图... 你怎么看?

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    John:

    1. 第一期:
      1. 最好为两个电容器在 GND 上添加封装。 一些 XTAL 所需的负载电容超过9 pF、因此需要外部电容器。
      2. 4x 100 MHz LP-HCSL 输出的最大 IDD 为90 mA。 最好使用具有更大额定电流的铁氧体磁珠。  BLM15AG221SN1D 便是这方面的一个示例、其额定值为450 mA。

    原理图看起来要好得多。

    谢谢。

    卡德姆

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    完成!  谢谢 Kadeem。