SE555-SP 数据表显示该器件具有触发电压和阈值电压在多个电源电压和温度下的额定电压、但没有关于是什么驱动这些变化的信息。 如果可能、我想要以下信息：
-静态误差造成的触发/阈值电压范围的影响(例如电阻容差或比较器容差)
-触发/阈值电压范围的贡献,由漂移的影响(如温度或老化的影响)
我的工作电压是~8.2V、通过查看表格、可以让我在触发电压上有大约+/-10%的限制、在阈值电压上有~+/-5%的限制。 更深入地了解这些值的来源有助于确定此 IC 是否可用于我们的应用。
谢谢。
本
尊敬的 Ben：
我会尽我所能回答您的问题。
1.) 由静态误差引起的触发/阈值电压范围的影响(例如电阻器容差或比较器容差)
我 认为、"静态误差"是指25°C 的误差、其中不包括漂移的影响、因为漂移误差将在您的第二个问题中解决。 正确、在25°C、触发/阈值容差取决于电阻容差、内部比较器的电压失调以及内部比较器输入的偏置电流等因素。 25°C 的最小值/最大值规格中考虑了所有这些误差。
2.) 由漂移影响(例如温度或老化效应)导致的触发/阈值电压范围的影响
上面列出的每个参数 都会随温度发生一些变化、这被称为漂移或温度系数。 所有这些漂移误差会合并、并添加到室温误差项中、从而增大表中所示的最小值/最大值规格。
请注意、触发电压的最小值/最大值规格有所不同、具体取决于器件是在极高还是极低温度下运行。 对于高温和低温运行、阈值电压最小值/最大值具有相同的规格、这是总体误差的相对温和的增加。
请记住、它们是 最大值 规范、通常表示高斯分布的六个标准差(6 Σ)以上的最坏情况。 典型器件的运行方式将更加接近1/3 Vdd 和2/3 Vdd 值。
数据表规格表中未考虑老化效应(有时称为长期漂移或长期参数漂移)。 对于触发电压和阈值电压等绝对值规格、这些值可以在器件的整个生命周期内额外偏移最小/最大数据表值的10%。 再说一次、该10%的漂移表示另一个6 Σ 事件。
与长期漂移后的分布相比、初始误差分布如下所示：
我希望这对您有所帮助。
此致、
扎赫
