[参考译文] MSPM33-SDK：EEPROM 管理

您好：

可以 修改链接器命令文件,但你能告诉我如何做,写什么?

我不想使用 Type_A 或 B 因为我会有一个 EEPROM 管理,非常具体,我的意思是我有很多结构要保存,但独立管理,任何将是 redondid,其他不 并且未对这些示例进行改编。

您好：

有关 cmd 文件的第一个问题

您要求我添加：

DATA_FLASH (RW)：origin = 0x80000000、length = 0x00008000 /* 32KB 高耐久性区域*/

但我有：

SRAM (rwx)：origin = 0x30000000、length = 0x0003FFFF
数据 (R)：原点= 0x80000000、长度= 0x00007FFF
BCR_CONFIG (R)：origin = 0x80101800、长度= 0x000003FF
BSL_CONFIG (R)：origin = 0x80101C00、length = 0x000003FF

这意味着它将与 DATA BCR_CONFIG 和 BSL_CONFIG 发生冲突。

由于 DATA 和 DATA_FLASH 位于同一位置、该怎么办？  

以及如何处理 DATA、BCR_CONFIG 和 BSL_CONFIG？

谢谢

你（们）好  

我将在下周初查看详细信息和反馈

谢谢

您好：

你那有新消息吗？

谢谢

您好：

非常感谢所有这些信息,但我再次有一些问题:

************************************************************************************************

问题 1 ：您确认修改正确吗？

在 device_linker.cmd 文件中：

解决方案

移动数据
｛
闪存 (RX)：原点= 0x10000000、长度= 0x000FFFFF
SRAM (rwx)：origin = 0x30000000、length = 0x0003FFFF
数据 (R)：原点= 0x80000000、长度= 0x00007FFF
BCR_CONFIG (R)：origin = 0x80101800、长度= 0x000003FF
BSL_CONFIG (R)：origin = 0x80101C00、length = 0x000003FF
}

很重要
｛
.intvecs：palign (16)｛｝> 0x10000000
.text：palign(16){}> flash
.const : palign(16){}> flash
.cinit：palign (16)｛｝> FLASH
.pinit：palign(16){}> flash
.rodata : palign(16){}> flash
.arm.exidx：palign(16){}> flash
.init_array：palign(16){}> flash
.binit : palign(16){}> flash
.TI.ramfunc：load = FLASH、palign (16)、run=SRAM、table (BINIT)

.vtable :> sram
.args :> sram
.data :> sram
.bss :> sram
.sysmem :> sram
.stack :> SRAM (high)

.bCRConfig：{}> BCR_config
.BSLSConfig：{}> BSL_config

.databank : palign(16){}>数据

}

1 安培

移动数据
｛
闪存 (RX)：原点= 0x10000000、长度= 0x000FFFFF
SRAM (rwx)：origin = 0x30000000、length = 0x0003FFFF
/*数据 (R)：origin = 0x80000000、长度= 0x00007FFF*/
DATA_FLASH (RW)：origin = 0x80000000、length = 0x00008000 /* 32KB 高耐久性区域*/
BCR_CONFIG (R)：origin = 0x80101800、长度= 0x000003FF
BSL_CONFIG (R)：origin = 0x80101C00、length = 0x000003FF
}

很重要
｛
.intvecs：palign (16)｛｝> 0x10000000
.text：palign(16){}> flash
.const : palign(16){}> flash
.cinit：palign (16)｛｝> FLASH
.pinit：palign(16){}> flash
.rodata : palign(16){}> flash
.arm.exidx：palign(16){}> flash
.init_array：palign(16){}> flash
.binit : palign(16){}> flash
.TI.ramfunc：load = FLASH、palign (16)、run=SRAM、table (BINIT)
.eeprom_section :> data_flash, type = NoLoad                 /*<--在此处添加*/

.vtable :> sram
.args :> sram
.data :> sram
.bss :> sram
.sysmem :> sram
.stack :> SRAM (high)

.bCRConfig：{}> BCR_config
.BSLSConfig：{}> BSL_config

.databank : palign(16){}>数据

}

************************************************************************************************

问题 2 ：关于部分中的 EEPROM 声明

第一个答案,你告诉添加:

.eeprom_section :> data_flash, type = NoLoad

最后：

.TI.EEPROM：｛｝> data_flash

那么、哪一个是好的、第二个是、这意味着当我重新刷新 SW 时、此部分将刷新为？ 由于没有“NoLoad“

************************************************************************************************

问题 3 ：EEPROM 声明

你告诉我这样声明:

#pragma DATA_SECTION

 或

 __attribute__((section(".TI.eeprom"))))

它是否声明所有 EEPROM、表示 32KB？

或者我可以这样声明:

__attribute__((section（“.“）TI.eeprom) uint8_t EEPROM_Memory[32768]；

谢谢

您好：

另一方面、当我编译时、我得到了这个

[13]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.text“
[14]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.data“
[15]警告#10247-D：在没有 SECTIONS 规范的情况下创建输出段“.bss“
[16]警告#10247-D：在没有段规范的情况下创建输出段“.cinit “
[17]警告#10247-D：创建没有段规范的输出段“.rodata“
[18]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.intvecs“
[19]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.stack“
[20]警告#10210-D：创建默认大小为 0x800 的“.stack“段；使用-stack 选项更改默认大小

谢谢

您好、Sebastien Le Diour

我稍后会查看详细信息。 在下周初进行讨论并提供反馈

谢谢

您好：

有什么新消息?

谢谢

您好：  

非常感谢所有这些说明、不幸的是第一部分（关于链接器）不起作用。

现在、我拥有：

-uinterruptVectors
-stack_size=256

移动数据
｛
闪存 (RX)：原点= 0x10000000、长度= 0x000FFFFF
SRAM (rwx)：origin = 0x30000000、length = 0x0003FFFF
/*数据 (R)：origin = 0x80000000、长度= 0x00007FFF*/
DATA_FLASH (RW)：origin = 0x80000000、length = 0x00008000 /* 32KB 高耐久性区域*/
BCR_CONFIG (R)：origin = 0x80101800、长度= 0x000003FF
BSL_CONFIG (R)：origin = 0x80101C00、length = 0x000003FF
}

很重要
｛
.intvecs：palign (16)｛｝> 0x10000000
.text：palign(16){}> flash
.const : palign(16){}> flash
.cinit：palign (16)｛｝> FLASH
.pinit：palign(16){}> flash
.rodata : palign(16){}> flash
.arm.exidx：palign(16){}> flash
.init_array：palign(16){}> flash
.binit : palign(16){}> flash
.TI.ramfunc：load = FLASH、palign (16)、run=SRAM、table (BINIT)
.eeprom_section :> data_flash, type = NoLoad

.vtable :> sram
.args :> sram
.data :> sram
.bss :> sram
.sysmem :> sram
.stack :> SRAM (high)

.bCRConfig：{}> BCR_config
.BSLSConfig：{}> BSL_config

/*.databank : palign(16){}> data*/
.databank : palign(16){}> data_flash
}

编译时、我得到以下内容：

[13]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.text“
[14]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.data“
[15]警告#10247-D：在没有 SECTIONS 规范的情况下创建输出段“.bss“
[16]警告#10247-D：在没有段规范的情况下创建输出段“.cinit “
[17]警告#10247-D：创建没有段规范的输出段“.rodata“
[18]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.intvecs“
[19]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.stack“
[20]警告#10210-D：创建默认大小为 0x800 的“.stack“段；使用-stack 选项更改默认大小

你能告诉我,如果你看到一些错误的定义?

祝你度过美好的一天

您好、Sebastien Le Diour

我稍后会检查并回复您。

您好：

有什么新消息?

谢谢

您好、Xiaodong、

我综合了你的意见,不幸的是,同样的结果

[13]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.text“
[14]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.data“
[15]警告#10247-D：在没有 SECTIONS 规范的情况下创建输出段“.bss“
[16]警告#10247-D：在没有段规范的情况下创建输出段“.cinit “
[17]警告#10247-D：创建没有段规范的输出段“.rodata“
[18]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.intvecs“
[19]警告#10247-D：创建不带段规范的输出段“.stack“
[20]警告#10210-D：创建默认大小为 0x800 的“.stack“段；使用-stack 选项更改默认大小

谢谢

您好、 Sebastien Le Diouris  

请在最新版本的 www.ti.com/.../MSPM33-SDK 中将头文件和链接配置与 EEPROM 类型 A 和 SDK 类型 B 进行比较
版本：1.04.00.00 发布日期：2026 年 7 月 6 日

我知道、与我们的标准解决方案相比、您不希望拥有我们的 EEPROM 解决方案、也许可以找到一些详细的方法来解决您自己的解决方案。

谢谢！

您好、Xiaodong、

我加载了 EEPROM B 型工程、并且链接器文件相同（无需修改我的工程）、意味着 EEPROM 存储器没有任何内容。 配置  

那么 EEPROM 内存声明在哪里完成呢？

谢谢

您好、 Sebastien Le Diouris  

我不在办公室。 我已经和我的同事讨论过这个主题。

我稍后会回复你。

谢谢

您好、 Sebastien、

MSPM33 上没有 EEPROM、SDK 中的示例/库是在闪存中仿真 EEPROM（基于 driverlib 中的 FLASHCTL API）。

示例/库本身不需要修改 cmd 文件、而只需使用通用闪存范围。 您可以在头文件中找到地址定义。

如果您想开发自己的 EEPROM 仿真代码、可以参考闪存示例作为基础。

您好、Yuhao、

是的,我在示例中看到的,好吧,所以如果没有配置要做的完美.

感谢您的回答。

我有一些关于 EEPROM 管理的问题、我能否继续讨论这个主题、或者我是否应该再创建一个？

谢谢