[参考译文] CCS：关于问题：使用 F021闪存 API -闪存写入

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https://e2e.ti.com/support/tools/code-composer-studio-group/ccs/f/code-composer-studio-forum/939807/ccs-about-question-using-f021-flash-api---flash-write

主题中讨论的其他器件：TMS570LC4357

工具/软件：Code Composer Studio

我将 TMS570LC4357 芯片与开发套件搭配使用。

我想制作引导加载程序。因此我使用在此链接()中下载的源代码进行一些测试。

在此代码中、我测试在闪存中写入一些代码。我可以写入组1区域(地址0x00200000 ~ 0x00400000)、但我不能写入组0区域(地址0x00000000 ~ 0x00200000)

因此、我尝试更改"flash_defines.h"中的代码。但我无法写入地址(0x00000000 ~ 0x00200000)。

如何写入地址(0x00000000 ~ 0x00200000)？ (详细而言、我希望闪存写入测试、引导加载程序区域除外。)

此致、

米尼宇

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2538950 points

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大家好、Minwoo、

编程、擦除、空白检查或裕量验证的所有闪存 API 都必须从正在执行代码的组之外的组中调用。如果对只有一个闪存组的器件的组0进行编程或擦除、则必须在 RAM 中执行这些例程。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2538950 points

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QJ Wang、您好！

该组固定为芯片(由硬件独立决定)。然后、我无法更改源代码(组区域)中的"flash_defins.h"？

如果我想读取/写入 TMS570LC4357中的所有闪存区域、引导程序代码在 RAM 中执行？

此致、

米尼宇

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2538950 points

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大家好、 Minwoo、

如果您将应用程序代码编程到组0 (同一组引导加载程序)中的扇区、则必须将引导加载程序中与闪存 API 相关的代码复制到 SRAM 以从 SRAM 执行。

如果您将应用程序代码编程到组1、则无需将代码复制到 SRAM。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2538950 points

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您好、QJ Wang、

感谢您的回答。但是、我在将"FLASH API" 作为从闪存复制到 RAM 时遇到了问题。

我想将"flash API" 从 Rom 复制到 RAM -我想同时写入闪存组0和组1。 (使用芯片：TMS570LC4357)

我执行以下操作、但发生了预取中止。

1.我通过以下链接将闪存中的闪存 API 复制到 RAM：

2.我检查闪存 API 代码是否存在于 RAM 区域中(通过.map 文件)

调用函数时、发生预取中止。

我想知道是否有其他设置可将闪存复制到 RAM

此致、

米尼宇

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2538950 points

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大家好、Minwoo、

请使用此链接下载适用于 TMS570LC43x 的 CAN 引导加载程序。链接器 cmd 文件位于器件文件夹中、main.c 位于./source 文件夹中。

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