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[参考译文] CCS/TDA3MV：CCS 调试 TDA3 RVP 的挂起问题

admin
Guru**** 2405870 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/code-composer-studio-group/ccs/f/code-composer-studio-forum/848900/ccs-tda3mv-hanging-problems-with-ccs-debug-tda3-rvp

器件型号：TDA3MV

工具/软件：Code Composer Studio

您好！

电路板：定制电路板
BIOS：RVP
SDK：processor_sdk_vision_03_04_00_00
RAM：1GB (已通过应力测试)

CCS 调试：

我将 SBL 和应用烧写到 QSPI 中、程序在"jump to IPU1_0"处停止、程序在大约13秒后继续执行。
如果 CCS DEBUD、它将在 IPC_Start 函数处停止。

顺便说一下、如果您使用 EVM BIOS、则不会出现上述问题。


如何解决？

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    您是否也可以连接到其他两个内核并检查它们的状态。

    此致、

    Rishabh

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    我没有使用 dps2、eve。
    我在 config 中关闭了另一个内核。

    状态是什么？
    您能详细描述吗？

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    您是否在构建配置中禁用了 EVE 和 DSP2、即针对 TDA3 RVP 的 cfg.mk？

    您能否共享 cfg.mk

    此致、

    Rishabh

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    这里是 cfg.mk。

    e2e.ti.com/.../tda3xx_5F00_rvp_5F00_bios_5F00_all.7z

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    cfg.mk 看起来正常。 您是否对 SBL wrt Ammu 进行过任何更改？

    此致、

    Rishabh

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    我认为 RVP BIOS 已修改相应的 AMmu、
    所以我没有对 Ammu 做任何更改。

    请参阅 VisionSDK 用户指南内存 Map.pdf
    未找到问题。

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    在您提到的问题中、"顺便说一下、如果您使用 EVM BIOS、则不会出现上述问题。"

    您能否检查采用1 GB 配置的 RVP 和 EVM 的 Ammu 配置是否相同。

    此致、

    Rishabh

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    感谢你的答复

    请给我一些时间来跟踪代码

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好、Ying、

    我要关闭此主题。

    只要您准备好了结果、请发布回复。

    此致、

    Rishabh

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    EVM 和 RVP 板中的 Ammu 设置不同。

    如果我在 BIOS 中使用 CCS 调试、RVP 需要修改电流？

    SBL PHY_ADDR 中的不同：

    "TI_components \drivers\pdk_01_10_00_08\packages/ti\boot\SBL_auto\SBL_utils\src\tda3xx\SBL_utils_tda3xx_ammu_config.h" 

    #ifdef TDA3XX_Ammu_CONFIG_MAP_DDR_1GB
#define SBL_utils_TDA3XX_Ammu_LARGE3_PHY_ADDR (((uint32_t) 0xA0000000U)
#else
#define SBL_utils_TDA3XX_Ammu_large_Page3_PHY_ADDR (((uint32_t) 0x80000000U)
#endif

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    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    您使用的是 Vision SDK 版本？

    您是否进行了任何其他更改？

    此致、

    Rishabh

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    你(们)好

    我使用 processor_sdk_vision_03_04_00_00。

    我不更改 应用、只需  根据 emfi 工具修改 SBL_utils_tda3xx_DDR_config.c 即可。

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    我的理解是默认 DDR 配置应适用于 RVP。

    您是否在默认配置方面遇到任何问题？

    此致、

    Rishabh

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    我使用定制板、DDR 与 RVP 不同。

    使用 RVP BIOS 是因为我需要在板上使用两个 DDR3 512MB。

    如果我不修改 SBL DDR 配置、则 SBL 将在 DDR 初始化中失败。

    现在、我参考 VisionSDK_UserGuide_MemoryMap.pdf 第6.5章
    如何–将512MB BIOS 内存映射修改为1GB BIOS 内存映射将 BIOS EVM DDR 配置为1024MB。
    SBL 和应用程序会烧写到 QSPI 并运行良好，但 CCS 调试会在 IPC_START 上挂起(与之前的答复类似)。


    我猜 CCS 调试需要一些 DDR 1024MB 的配置， 这是正确的吗？

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    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    有两种可能：

    TDA3的 DDR 配置 GEL 未针对定制板进行修改。

    GEL 中的 Ammu 配置设置不同于 SBL 中的设置。

    您能否检查凝胶是否正确修改。

    此致、

    Rishabh

  • 0
    TI__Guru**** 2405870 points
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    您好！

    我没有听到您的反馈、我假设您能够解决您的问题。
    如果不是、只需在下面发布回复(如果该线程由于超时而锁定、则创建新线程)。

    此致、
    Rishabh