工具/软件:Code Composer Studio
所有、
当我使用 CCS 编译工程时、遇到以下问题:
"../CC3220S_LAUNCHXL_TIRTOS.cmd",第72行:错误#10099-D:程序不能装入可用内存。 对".priheap"大小为0x4000的段运行定位失败。 可用存储器范围:
SRAM 大小:0x3c000 未使用:0x4632 最大空洞:0x24a8
错误#10010:链接期间遇到错误;未构建"cc3220S_app.out"
>>编译失败
Makefile:261:目标'cc3220S_app.out'的配方失败
gmaked[1]:***[cc3220S_app.out]错误1.
Makefile:257:目标'all'的配方失败
gmake:***[全部]错误2.
以下是:
/*
* ==== CC3220S_LAUNCHXL.cmd =========
*
/*
*应用程序的起始地址。 通常是中断矢量
*必须位于应用程序的开头。
*
#define SRAM_base 0x20004000
#define SRAM0_BASE 0x20000000
--stack_size=1024 // C 栈也用于 ISR 堆栈*/
HeapMem 使用的堆缓冲区的大小*/
/* HEAPSIZE = 0x8000;*/
HEAPSIZE = 0x4000; /* 16K */
存储器
{
SRAM0 (rwx):origin = 0x20000000,length = 0x2000
SRAM (rwx):origin = 0x20002000,length = 0x00040000 - 0x4000
}
/*内存中的段分配*/
部分
{
.text :> SRAM
.bss :> SRAM
.TI.ramfunc:> SRAM
.data :> SRAM
.const :> SRAM
.sysmem :> SRAM
.cinit :> SRAM
.pinit :> SRAM
init_array:> SRAM
/* HeapMem 使用的堆缓冲区*/
.priheap :{
_primary_heap_start__=.;
。 += HEAPSIZE;
__primary_heap_end__=.;
}> SRAM 对齐8
.stack :> SRAM0 (高电平)
}
如何解决此构建问题?