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[参考译文] 在 Code Composer Studio 中使用 XDS110探针对 MSPM0器件进行编程-相关问题

admin
Guru**** 664280 points
Other Parts Discussed in Thread: SYSCONFIG
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/code-composer-studio-group/ccs/f/code-composer-studio-forum/1306768/programming-mspm0-devices-with-xds110-probe-in-code-composer-studio---related-question

主题中讨论的其他器件：SysConfig

团队、

 我们的客户正在使用 MSP M0 (G3507)进行开发...

故障排除后、我们还有其他问题：

 我们的引导加载程序从内部振荡器运行。  闪存是否对时钟配置敏感、以及我们在读取/写入/擦除闪存时是否应使用特定的时钟速度或设置？

主题。 我们使用 API DL_FlashCTL_eraseMemoryFromRAM ()和 DL_FlashCTL_programMemoryFromRAM64WithECCGenerated ()进行擦除和写入存储器。  (到目前为止，我们已添加了对 DL_FlashCTL_readVerifyFromRAM64WithECCGenerated()的调用以验证写入。)  验证擦除可能也很重要。  是否有擦除-验证 API？  

2b. 我们发现直接存储器读取会导致 FLASHDED 损坏。  是否有读取 API？

3. 读取存储器是否真正导致损坏或由写入未完全擦除的存储器而导致损坏？  在下面的电子邮件中、我提到了调试器从内存转储中显示出一些内存单元未被完全擦除。  是否会重新运行擦除 API、直到验证擦除后才能消除损坏事件？

4. SWD 接口和读取存储器的代码是否相互干扰、这是否会导致闪存损坏？  如果可以、是否可以在引导加载程序中禁用存储器访问周围的 SWD 接口、或者完全禁用引导加载程序项目的 SWD 接口(但不适用于应用)？

 5. 在 NMI 处理程序中是否可以从 FLASHDED 异常中恢复、或者该异常是否被视为永久的芯片故障？

欢迎在假期/新年前后提供任何意见。

Ty、

CY

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    TI__Guru**** 664280 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    #1客户将 BSL 放置在闪存区域，请确保使用我们已将闪存操作代码放入 SRAM 的最新 SDK。  另外一点是配置闪存等待状态、SysConfig 将自动对其进行配置。  

    #2a 首先,闪存擦除 API 将反馈命令执行的状态,如果你想验证它,你可以读取一些数据在已擦除的区域来验证它。

    #2b 否,您在读取内存时使用的代码是什么? 您可以使用指针来执行该操作。

    #3擦除将需要更长的时间,如下所示。 有多少器件存在此问题？ 剂量客户可以提供一个简单的代码来重现此问题？

    #4

    [quote userid="100134" url="~/support/tools/code-composer-studio-group/ccs/f/code-composer-studio-forum/1306768/programming-mspm0-devices-with-xds110-probe-in-code-composer-studio---related-question 是否可能 SWD 接口和读取内存的代码相互干扰,这是否会导致闪存损坏?

    如果您只是读取存储器、我认为不会导致任何闪存损坏。 您可以禁用 SWD 以修改非主/配置 NVM、或使用不同的密码启用它。 如果客户使用基于闪存的 BSL、TI 的 BSL 确实包含恢复出厂设置来擦除整个存储器的命令、这在这种情况下不起作用。 在这种情况下、客户 只需使用 SWD 接口修改非 MAIN 闪存来进行配置。

    #5 FLASHDED 例外的含义是什么? 您是指闪存损坏问题吗？

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    TI__Guru**** 664280 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Gary、

    谢谢你。  我知道客户在假期期间也审查了您的意见。  我还将转发有关主题的相关电子邮件。  此外：

    由于项目时间限制、我们的客户会考虑在第一个量产版本的引导加载程序中删除 uC 存储器验证、直到该问题得到解决。  其初始引导加载程序无法在现场升级、因此早期硬件将始终具有此限制。   

    通过更改调试器中的程序计数器、它们仍可以使用权变措施生成 FLASHDED 异常。  因此、我们仍需要对此问题进行纠正、以确信可能导致程序计数器意外更改的事件(例如欠压事件或 EMI)不会导致芯片故障。  ｛打开｝

    Ty、

    CY