[参考译文] ospi 闪存写入

尊敬的 Eli Mordel：

您的项目中是否使用了  ospi_flash_io  或者您是否正在使用 OSPI API？

此致、
Aakash

尊敬的 Aakash：

以下是两个项目中的代码：

int main (空)

{

#define APP_OSPI_FLASH_OFFSET_BASE (0x600000U)
#define APP_OSPI_DATA_SIZE (256)  

system_init()；
Board_init()；

drivers_open()；
Board_driversOpen()；

int32_t status = SystemP_Success；
uint8_t gOspiTxBuf[APP_OSPI_DATA_SIZE]=｛0｝；
uint32_t offset = APP_OSPI_FLASH_OFFSET_BASE；

STATUS = Flash_WRITE (gFlashHandle[CONFIG_FLASH0]、OFFSET、gOspiTxBuf、APP_OSPI_DATA_SIZE)；

返回0；

}//main

在该示例中、我的代码中的所有工作 在 SDK 中  1464  ofi_writeFifoData (attrs->dataBaseAddr、pSrc、wrBytes)；

什么地方出错了? 如何进行?

谢谢。

此致、

Eli

尊敬的 Eli Mordel：

为了安全起见,你可以在任何后续"写入"之前尝试"擦除"操作吗?

此致、
Aakash

尊敬的 Aakash：

我做了擦除和没有擦除,读取和没有读取。

仍然 clang 工程始终成功写入 - status=0；GCC 工程始终失败写入- status=-1

请帮助我 进一步调试。

谢谢。

此致、

Eli

尊敬的 Eli：

这听起来像是一个编译器问题。 您之前应该已经提到过、我们本来可以更快地对其进行调试。

让我在一天之内回来提出一个解决方案。

此致、
Aakash

尊敬的 Aakash：

谢谢！

此致、

Eli

尊敬的 Eli：

您是否可以尝试以下步骤并检查它是否有效：

1) 1)尝试将优化标志级别降低为-O1或-O0、并重新编译示例

2) 2)检查写入操作中使用的基地址和偏移量是否正确

您使用的是哪个版本的 MCU+SDK？

尊敬的 Eli Mordel：

您是否可以尝试仅写入4字节的数据？ 这是否起作用？ 此外、请与我们共享该项目、以便我们能够重现该问题。

此致、
Aakash

尊敬的 Aakash：

我尝试了1、2和4字节的数据-结果相同。

我正在使用 GCC 编译-所以你需要我的所有文件,包括 SDK 与它的 makefile -正确吗?

谢谢。

此致、

Eli  

尊敬的 Aakash：

 闪存问题发生在我们的电路板上-而不是 EVM 上！

谢谢。

此致、

Eli

尊敬的 Aakash：

我将尝试附加我的项目(7zipped)-我看不到它附件-可能项目容量过大、140KB

谢谢。

此致、

Eli

您好、Eli

应该可以附加一个140KB 的项目、只需尝试拖放即可查看它是否起作用。

如果没有、请直接通过电子邮件分享。

此致

卡兰

Karan、您好！

我曾尝试过通过电子邮件拖放、但似乎太大了。

我会问我的老板如何发送它。

基本上是 SDK FLASH_IO 示例、其中包含 gd25q64e 闪存器件的 json 文件(1s-1s-4s 配置)

它可以与 clang 配合使用,但只有写入函数在 GCC 中失败。

它发生在我的电路板上-我还不知道 EVM 上发生了什么- 可能是下一步。

谢谢。

此致、

Eli

尊敬的 Eli：

我们计划了一个针对2024年03月01日 的调试会话。 让我们尝试 确定 此处的问题。

此致、
Aakash