[参考译文] DAC8760：VSENSE-和 GND 之间的最大电压差？ 在 0 - 10V 模式下以&quot；pseplace&quot 达到 0V 输出；V-上的电阻无法实现？

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1576144/dac8760-maximum-voltage-difference-between-vsense--and-gnd-reaching-0v-output-with-0---10v-mode-with-spurious-resistance-on-v--not-possible

工具/软件：

尊敬的 TI 论坛：

在电压输出模式 (0-10V) 下使用 DACx760 时、使用“自然“接线将 VSENSE-连接到 GND（例如数据表的图 9-2 中提供的）。  

但是、如果您在实际接入点（例如用于为器件上电的“V-"）“）和器件内部 GND 之间的接地平面上放置任何类型的保护电路（例如共模扼流圈）、那么您（可以并且将）最终会在 V-“和 GND 之间获得电压差。 当用户现在测量 VOUT（来自 DAC）和 V-（这是唯一的可访问点，因为 GND 受保护）之间的电压时、测量中将出现偏移、幅度取决于流回保护电路的电流。  

Vout 也有同样的论证（显然）。  

现在、VSENSE-和 VSENSE+用于校正此类偏移。 那么、为什么不简单地提供 VSENSE 和 VSENSE+作为专用引脚排列呢？  
数据表指出  

 VSENSE 引脚和器件 GND 引脚之间的实际电压差预计不会更高
μV 100 μ s。 图 8-2 中器件内部 GND 和–VSENSE 引脚之间的内部电阻为
通常为 2kΩ

µV 100 μ H 意味着什么？ 我在数据表中找不到任何内容、例如 VSENSE-和 GND 之间允许差异的最大额定值。 ~ 100mV 是否仍然正常？ 很明显、这会耗散一些热量（根据数据表，在 2k Ω 以上 100mV 仍然功耗不大）。 µV、100mV 似乎远不止“几个 100 μ V“。

所以在我所有的问题是简单的:你允许在 VSENSE-和 GND 之间的最大电压是多少?

可能更普遍 — 可能与软件相关:从上面可以看出,只要在 v-线上有一些电阻,在单极模式和 0-10V 设置的芯片就不会达到精确的 0V。 它始终会有一些偏移。 这是正确的吗？ 要在输出端实现真正的 0V、您需要进入双极模式并（通过用户校准）将负输出电压设为零值。

此致、

Andreas