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[参考译文] ADS1278EVM-PDK:为什么 TI 工程师在这里拆分接地平面?

Guru**** 2858300 points

Other Parts Discussed in Thread: THS4551, ADS1278, ADS1278EVM-PDK, THS4521, THS4541, ADS127L01, ADS127L01EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1637979/ads1278evm-pdk-why-ti-engineers-split-ground-planes-here

器件型号: ADS1278EVM-PDK
主题中讨论的其他器件: THS4521、ADS1278、THS4551、 THS4541ADS127L01、ADS127L01EVM

我几乎没有 PCB 设计背景,我知道拼接接地平面是不良的可焊性,并削减了返回路径,所以为什么德州仪器 (TI) ADS1278EVM-PDK 工程师在下方切割接地平面 THS4521 (我知道它的数据表如此说,但这甚至是令人困惑),我可以在 4 层堆叠中做它而不安全地切断接地层或它是强制性的,以及如何电源平面在 L3 是好的是保持电源岛而不切割它们,或者他们也会产生问题? 任何其他想法良好的堆叠 3 x ads1278 与 MCU 和 SDRAM 和 USB 2.0 ULPI, 4 层堆叠或 6 层堆叠,将保留一个良好的 24 位信号..  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Soufiane、

    我假设我们讨论的是采用 THS4551 的 ADS1278V2EVM-PDK。  高带宽放大器通常会移除放大器负反馈路径下方的相邻接地平面。  这样可以消除接地端和反馈路径之间的寄生电容耦合、从而导致高速放大器不稳定。  THS4551(和 THS4521)带宽约为 150MHz、通常不需要在器件正下方移除接地、但可以通过移除来缩短总体稳定时间。  更高带宽的器件(例如具有 850MHz 带宽的 THS4541) 几乎)几乎总是需要移除接地平面才能保持稳定。

    基本上、对于 THS4551(和 THS4521)、接地是可选的。  我们在许多 EVM 上删除了该设计、并在其他 EVM 上保留了接地层、但性能相似。

    理想情况下、顶层和底层正下方的接地层是理想之选。  如果您能够承受采用 6 层(或 8 层)设计、那么我建议在顶部和底部附近使用接地平面、然后可以将内层用于电源和信号布线。 对于 ADS1278EVM、需要使用接地层。

    为了获得出色性能、您需要将数字元件与模拟元件分开放置、并确保数字线路不会直接穿过相邻层上的敏感模拟线路、或者您不会在同一层上彼此并行地布线数字线路和模拟线路。  对于 TI 的大多数精密 ADC EVM、我们通常将模拟元件放置在电路板的左侧、将数字元件放置在电路板的右侧。  

    请查看 ADS127L01 数据表和 EVM 用户指南、其中包括单个板上的处理器和 USB 接口、以获得良好的布局示例。

    数据表第 11 节: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/ads127l01.pdf

    ADS127L01EVM 用户指南:  https://www.ti.com/lit/ug/sbau261b/sbau261b.pdf

    此致、
    Keith Nicholas
    精密 ADC 应用