[参考译文] ADS1258-EP：MUX 中的漏电流

Aidan 您好，

我今天尝试对 EVM 进行一些测量，但不幸的是，我在使设置正常工作方面遇到了技术困难。 此外，我没有在 mux 和 ADC 之间建立缓冲区，因此要获得您请求的数据将很困难。 但是，通过使用精密 DMM 测量泄漏电流(如向 ADC 应用输入信号时的 KeySight 3458A)，您应该可以获得相同的数据。 这应该让您对这种价值有一些了解。

我还与我们的设计团队讨论了这一请求，尽管我们没有数据提供给您，但他们估计，假设缓冲器在输入和调制器之间提供了足够的“隔离”，ADS1258 mux 泄漏电流在室温下应达到10秒的 NA。 由于此信息不在数据表中，因此不能保证信息的使用，因此您需要自行承担风险。

如果您使用1mA 电流刺激 RTD，10nA 的泄漏电流大约为0.001%的误差。 考虑到参考电阻器和 ADC 本身的错误，这可能可以忽略不计。

你是对的，这种泄漏在较高的温度下会变得更糟，尽管我没有任何数据——轶事或其他数据——来告诉你这可能是多少。

我希望这些信息能有所帮助。

布莱恩

Aidan 您好，

昨天我获得了不同的 ADS1258设置，因此我能够通过打开其中一个通道(本例中为 AIN14)，关闭 MUX 旁路来测量多路泄漏电流， 让输入浮动，并将我的3458A 与 MUXOUTP 引脚和接地串联。

测得的电流 I 为10到100 s PA。 这就是为什么我犹豫要建议您的实验装置可以正常工作，因为如果您尝试在20kohm 电阻器上测量此超低电流，可能就像噪声一样。 您需要非常高分辨率的测量设备才能检测到它，如果您已经使用了此设备，您也可以使用我所做的设置。 这就是我们如何在生产中测试这种参数。

对这些结果有一些警告：此测试是在受控环境中的室温下进行的，不考虑您将使用的缓冲区的任何偏置电流。 如果您想将 ADS1258与缓冲器一起使用，并且非常关注这些泄漏电流，我建议您执行与您的整个系统偏置相同的测试，以便您可以测量所有组件的累积效应。 但是，在本次测试中，您需要在 ADC 输入端进行测量，因为我认为 MUXOUTP 与缓冲区输入端有硬连接。 我还建议使用低噪声，低阻抗源测量整个输入范围内的漏电流。

我不确定您的设计距离有多远，但最后一个办法可能是切换到一个不同的 ADC，它确实代表了 ADC 输入电流，例如 ADS124S08。 该器件专门设计为具有低输入电流，这些输入电流是在温度过高时指定的。 该 ADC 还集成了用于 RTD 偏置的电流源。

如果您还有其他问题，请告诉我。

布莱恩

Aidan 您好，

我目前没有时间或能力进行其他测量。 事实上，对现有主板进行故障排除并使新主板启动和运行所花的时间比我预期的要多得多，这就停止了我已经在进行的其他项目的工作。

此外，如果此错误来源对系统性能如您所建议的那样有害，我坚信您需要在系统中测试此参数，以便有效了解其对实际测量的影响。 您的附加组件和输入电压将影响您在引脚上看到的总输入电流(更不用说温度)，因此，仅从无缓冲器的浮动输入获得 mux 泄漏电流并不一定会提供您需要的信息。

我希望这是可以理解的。

布莱恩