主题中讨论的其他部件： TINA-TI
尊敬的社区：
经过几天的调试和浏览，我在这个论坛上找不到解决方案或解决这个问题的方法(见标题)，尽管这个问题已经存在。
我在混合采集设置中使用ADS1299，而6个通道用于EEG采集。 ADS1299电路在很大程度上基于数据表，应用说明和评估套件原理图-开发的解决方案已在此处使用了一年多。 以下详细信息可能值得关注：
- 来自电池的准对称电源(在数据表中给出的允许范围内)：AVDD =+2.7V，AVSS =-2.55V，AGND = 0V
- PCB设计为混合电路，建议使用分离模拟/数字接地，模拟电压电源上的星形接地
- DRL/偏置反馈电阻器/电容器值的选择与ADS1299评估套件原理图中的选择相同：1MEG Ohm / 1.5nF
- EEG参考电压和偏置缓冲区都使用内部参考电压(AVDD+AVSS)/2 =-75mV (参考AGND)
- 通过使用通用电极对IN1-6N进行CH1-6的单端测量(不是SRB1，因为通道7-8用于另一个探头)
- 更多信息，请参阅以下示意图摘录
注册配置：
- 当偏置已启用但未测量时：CONF3= B1110 1100
- 测量偏置时： CONF3= B1111 1100和ChnSET位[2:0]= b010
现在的问题是：
根据偏置的配置(打开/关闭，使用不同的输入组合- BIAS SENSP/ BIAS SENSN)，偏置信号通常会显示明显的直流偏移，这是我无法解释的。
当我在没有SENS/N寄存器0的情况下测量直流偏置信号时(没有与偏置信号的反向通道输入)，我会按预期测量可忽略的直流偏置。
但是，当配置了任何SENS寄存器时，我得到的直流偏移量范围最高可达伏特电平，当增益大于1时，在体内测量中会导致EEG通道的剪切。 尝试对此进行调查并举一个例子，我只在CH1上使用内部ADS1299测试信号，将BIANSE_SENSP设置为b0000 0001，将BIANSE_SENSN全部设置为0，并测量CH2上的偏差信号。 请参阅以下屏幕截图
如预期，偏置信号显示反向测试信号(具有轻微负偏移，请参阅CH1)-但是增益G= 2.4 ，并加上~1.6V的偏移！
该增益大致是 ADS1299上的TI 10应用和实施说明(修订版 C)。在这里，我期望(使用RF=1MEG)和N=1 (用于偏置驱动的通道数，此处为IN1P) G=3增益或(如果使用220kOhm，这些实际上是TI PGA电阻器数据表中显示的值) 4.54。
对CH1的所有输入增益级别进行测试(使用G=1放大测试信号至24)始终会导致交流信号(测量的增益G=- 2.4)持续放大。 当仅使用单个输入通道进入偏置级时，偏移保持在1.6V左右。
与预期的增益之间的微小差异并不重要-但是，巨大的直流偏移却很重要：当偏置信号 与身体上的这些直流偏移时，EEG电极直接夹住(对于G>1)，我无法测量正确的信号。
当然，我开始用身体上的电极进行评估，但最终将问题缩小到ADS内部的所有问题，以确保它不是外部设置中的另一个物理问题。
- 向偏置添加通道可将偏移增加到AVDD/AVSS
- 偏移似乎不是由于通道1中的小直流偏移和DRL电路的巨大增益造成的。 如果是这样，测试信号必须以相同的增益放大
- 直流偏移量并非总是具有相同的电平。 在人体上使用时(如CH1测量EMG/EOG/EEG)，根据SENS寄存器的配置，偏移也可以在x*100mV范围内。
非常感谢您对此的任何备注和想法。
似乎有其他人在本论坛中遇到了类似的问题，但到目前为止还没有解决方案(例如，见 https://e2e.ti.com/support/data_converters/precision_data_converters/f/73/t/35.1795万 )。
