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部件号：ADS8505 我们使用ADS8505来感应我们其中一款产品中的电流。 我们正在考虑将其修改为高精度电流传感器，将一个磁通阀传感器连接到A/D 流闸设备输出一个电流，我们使用箔负荷电阻器和一个使用低漂移电阻器网络的放大器检测到该电流。 我正在Spice中进行蒙特卡洛分析以估计温度效应。 ADS8505将A/D规格列为
满刻度误差漂移：+/- 7ppm/C典型值
双极零误差漂移：+/- 2 ppm/C典型值
内部参考漂移： +/- 8 ppm/C典型值
我正在将A/D建模为一个可变电压源(零漂移)，并与可变增益(满刻度误差和内部参考漂移)串联。 我正在考虑使用外部参考来提高漂移性能。 我的问题是：
1) 如何组合A/D满刻度误差和参考误差？ 看来这两个问题都影响到A/D的有效"收益" 一种方法是假设它们是两个高斯随机变量的总和，并使结果标准偏差等于各个标准设备平方和的sqrt。 或者，我可以将它们建模为级联收益。 或???
注意： 我使用两种方法运行MC，结果相似。
2) 我正在将大部分这些漂移建模为高斯随机变量，并为每个零部件分配一个GRV，然后做1000遍Monte Carlo。 对于上述参数，我应该使用什么标准偏差？ 3西格玛？ 更多？ 更少？
3) 另一个问题与+/-10V输入范围使用的2.5V参考有关。 参考的漂移是否直接影响精度，或者是否存在比例因子？ 换言之，由于输入范围是参考电压的+/- 4倍，漂移相关误差是2.5V参考电压的4倍还是8倍？
