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[参考译文] ADS8686S:问题

Guru**** 1957125 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS8686S
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1099470/ads8686s-questions

部件号:ADS8686S

大家好,

我的客户正在其项目中评估ADS8686S。

他们有以下问题。 请您提供一些意见。 感谢您的帮助!

1.为什么REFCAP电容器需要使用陶瓷电容器,是否可以使用钽电容?

2.为何要避免在REFCAP和去耦电容器之间放置通孔? 影响是什么?

3.对于REFIO,建议添加10uF电容器,但在上一页中,数据表建议添加100nF?

4.   通过buf通过内部参考电压2.5V产生4.096V的好处是什么? 为什么不直接使用2.5V?

谢谢!

此致,

常春藤

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Ivy,您好!

    请参阅下面的我的答案:

    1.选择去耦电容器作为电压基准时,务必尽量减少负载瞬变并 保持稳定性,因此必须考虑电容器的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。 陶瓷电容器通常具有最低的ESR和ESL。

    2.如 下图左图所示,在去耦电容器和器件引脚之间放置通气孔将增加去耦电容器和器件之间的电感,并降低去耦电容器的有效性。 此外,确保电容器具有短路,低阻抗接地回路。 以下是去耦电容器的准则:

    • 在旁通盖和活动设备之间没有通气孔-可视化高频电流流!!!
    • 确保旁路盖与活动组件位于同一层,以获得最佳结果。
    • 将通孔导入旁通盖,然后再导入活动组件。
    • 越多越好。
    • 迹线越宽越好。
    • 越近越好

         

    3.这是第107页"布局"部分中的文本错误。 推荐使用100nF电容器进行REFIO,并在所有其他电路中显示,以及数据表中的说明。

    4.这是内部电路的设计考虑因素,因为此器件必须支持双极性高电压输入范围。

    此致,

    戴尔

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    您好,Dale,

    解释的很清楚。 非常感谢!

    此致,

    常春藤

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    您好,Dale,

       AD7616与ADS8686S引脚对引脚存在严重问题。 AD7616使用内部参考电压,REFCAP输出4.096V正常。 但有时,它输出一个从3.3V到4.8V的振荡波形(772Khz)。  我还测试AVDD 4.95V, DVDD 3.32V,REGCAP 1.87V,REGCAPD 1.89V,  REFINOUT 2.5V。  您知道这是怎么产生的吗?  如果我切换到ADS8686S,是否不会出现此问题?  这使我困扰了几个月。 我需要你的帮助。 谢谢。

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    您好,Fangming,

    感谢您对TI E2E论坛的查询。 如果您可以切换到TI ADS8686S,我肯定可以帮助您解决问题。 我可以保证您在ADS8686S上不会看到此类问题。 我需要您提供更多信息,因此我将有一位当地的FAE与您联系。 我们将与您进行离线通信。 谢谢!

    此致,

    戴尔

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