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器件型号：DAC8760 大家好、
数据表已从修订版本 C 更改为 D
我知道建议的电路有两个变化：
从 CMP 到 GND 的额外100pF 电容器
从模拟电源到器件 AVDD 的附加10 Ω 串联电阻
如果还有其他更改(附加)点、您能告诉我们这一点吗？
目前，我们的电路没有100pF 和10欧姆电阻。
请告诉我们您的疑虑吗？
此致、
隐藏
大家好、
数据表已从修订版本 C 更改为 D
我知道建议的电路有两个变化：
从 CMP 到 GND 的额外100pF 电容器
从模拟电源到器件 AVDD 的附加10 Ω 串联电阻
如果还有其他更改(附加)点、您能告诉我们这一点吗？
目前，我们的电路没有100pF 和10欧姆电阻。
请告诉我们您的疑虑吗？
此致、
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hide-san、
仅当从 CMP 到 VOUT 使用较大的电容器时、才需要100pF 电容器。 对于470pF 或更低的 CMP 电容值、不需要从 CMP 到 GND 的额外100pF 电容。 在某些情况下、具有较大 CMP 电容器的电快速瞬变可能会通过 CMP 引脚将 VOUT 的电荷耦合到输出放大器的内部节点。 这可能会损坏器件。
添加了串联电阻、因为电源的快速斜升(~1nV/秒)可能会损坏器件。 当器件的供电方式与热插拔电源类似时、可以看到这种快速斜坡。 使用电阻器可以降低此类事件产生的浪涌电流。 使用串联电阻和旁路电容器也会减慢器件的电源斜坡。
对电路的唯一其他建议更改是在 SPI 兼容总线上使用多个器件。 我们建议使用/CS 对 SCLK 进行门控。 这样、当器件未激活时、器件不会接收 SCLK。 这显示在图8-9第41页的数据表中。
吴约瑟
您好、Joseph-San、
我还有一个问题。
目前、我们在电路中使用1000pF 的 CMP 至 VOUT。
因为1000pF (1nF)是数据表中的推荐值。
(因此 CMP 至 COUT 电容大于470pF。)
因此、我们希望从1000pF 更改为470pF。
应该进行哪种规格评估？
(例如、稳定时间等)
此致、
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