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[参考译文] ADS8556:关于去耦电容器

Guru**** 2518750 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1056485/ads8556-about-decoupling-capacitors

器件型号:ADS8556

大家好、

10μF 到 AVDD 的去耦电容在引脚说明列中的每个引脚分别写入0.1μF μ F 和1 μ F。
然而、p36上的图43显示了一个40μF μ F 电容器被连接。
1μF、此 EVM 还10μF 六 μ A 和一 μ A 连接。
应将哪些值作为去耦电容器进行连接?
请告诉我最小值及其连接方式。
此外、我应该将电容器连接到高达多少容差?

此致。
Ryu。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ryu、

    请按照数据表中的建议、为整个 IC 至少一个10uF 大容量电容器、为每个主要 AVDD 输入至少一个0.1uF 电容器。  像 EVM 一样、将这些电容器增加到1uF 将进一步有助于电源噪声抑制和去耦。  在以下每个位置放置一个电容器:引脚26、引脚34/35、引脚40/41、引脚46/47、引脚50、 引脚60。   

    容差实际上并不重要、但请确保为电容器设置正确的额定电压、并使用比应用至少大2倍的额定电压(例如、对于+5V 电源轨、使用至少10V 的电容器)。  X5R/X7R 电介质优于 Y5V。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Collin、

    感谢你的答复。
    我理解得非常好。

    此致。
    Ryu