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遗憾的是、我从未见过任何查看过 IC 性能与气压间关系的数据。 通常、温度、辐射和湿度是影响性能和可靠性的最大原因。 我们通过用模压混合物封装器件并以密封方式将组件密封在陶瓷封装内来防止潮湿。 该过程有助于提供机械稳定性和外部环境保护、因此还应提供一些外部压力变化的抗扰性。 有关封装技术的更多信息、请参阅 https://www.ti.com/lit/an/snoa286/snoa286.pdf。
话虽如此、如果对外部气压有一定的敏感性、我想它可能会在压力发生较大变化时以偏移漂移或增益误差漂移的形式出现。 例如、我知道、对于一些带隙基准、如果您对 IC 封装进行物理压缩、您有时会看到基准电压变化。 与任何失调电压或增益误差一样、您始终可以执行校准以消除在给定条件下引入的初始失调电压和增益误差、或在多种工作条件下校准系统以帮助补偿失调电压和增益误差漂移的影响。
但愿这有所帮助。 如果您对 IC 有任何其他信息或经验、并且 IC 在压力条件下表现不同、我很想了解它！
