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器件型号：ADS8557 您好！
写入"当 HVDD 在 AVDD 之前供电时、内部 ESD 结构导通、从而使 IHVDD 超过指定值。 "。
following①电流不会流经内部 ESD、我们是否应该在 AVDD 完成后开始打开 HVDD、以使其完全导通 μ s？
或者、在 AVDD 开始像 following② μ s 一样上升后、我们是否可以很快开始升高 HVDD？
此致、
Kuramochi
