主题中讨论的其他器件:DAC8742H、 PROFIBUS
大家好、团队、
我的客户 注意到、在 DAC8742H 的数据表中、它在 MOD_OUT 行(第29页)指定了一个连接 GND 的分流器0.022uF 电容器和一个串联4700pF 电容器。 但是、在 DAC8742H EVM 的用户指南中、它使用了一个2.2uF 串联电容器、后跟一个连接到 GND 的0.022uF 分流电容器。 您能否解释一下为何在数据表中使用了一种拓扑、而在 EVM 上使用了另一种拓扑。
此致、
Renan
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大家好、团队、
我的客户 注意到、在 DAC8742H 的数据表中、它在 MOD_OUT 行(第29页)指定了一个连接 GND 的分流器0.022uF 电容器和一个串联4700pF 电容器。 但是、在 DAC8742H EVM 的用户指南中、它使用了一个2.2uF 串联电容器、后跟一个连接到 GND 的0.022uF 分流电容器。 您能否解释一下为何在数据表中使用了一种拓扑、而在 EVM 上使用了另一种拓扑。
此致、
Renan
Renan、
我不知道原理图为什么不同。 可能使用其中一种方法来适应 HART 和现场总线/PROFIBUS 的变化、或者如果我们对原理图进行了一些更改以收紧用于 HART 认证的 EVM、则可以使用另一种方法。
最后、它不应产生太大的影响。 2.2uF 串联电容器是一个以极低频率进入的大直流阻断电容器。 问题可能是 HART 需要某种带通滤波。 如果您将频率设为过低、信号中可能会有更多噪声。
我相信 DAC874xHEVM 中的电路通过了 HART 认证。 以下应用手册和 TI 参考设计中提供了更多信息、您可以查看这些信息以了解电路。
https://www.ti.com/lit/an/sbaa306/sbaa306.pdf
https://www.ti.com/tool/TIDA-060020
吴约瑟