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https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1014004/ads4149-cmos-clkout-strength
基于 ADS4149的 IBIS 模型、我们决定 使用 CMOS_DATA_HICH1缓冲器。
为了使用 CMOS_DATA_HIGH1缓冲器设置、我们应该如何设置寄存器位(在地址41h 中)？ 这是否对应于 CMOS CLKOUT 强度位：00 = 最大强度？
Irmak、
是的、00 =最大强度。
此致、
Jim
ADS4149的 IBIS 模型对 所有这些输出使用 CMOS_DATA_HIGH1缓冲器：
OVR_SDOUT
CLKOUTP
D0_D1_P
D0_D1_M
这是否意味着如果我们设置00 = max_strength、 它们是否都设置为 max strength 或仅用于时钟？
如果仅用于时钟、我们如何安排 D0_D1_P、D0_D1_M 和 OVR_SDOUT 的强度？
CMOS 最大强度仅适用于 CMOS 时钟。 由于时钟是最快的切换信号、时钟输出上的额外强度有助于减少上升/下降时间、从而改善输出时序。
数据表中指定的 CMOS 时序数仅在这种模式下采用、复位后、默认情况下 CMOS 缓冲器被编程为最大强度。
在某些情况下、根据 CMOS 输出在电路板上的布线方式、可能会有输出时钟耦合到模拟输入并降低性能、尤其是噪声和杂散。
在这种情况下、客户可能会尝试降低 CMOS 输出时钟缓冲器的强度、并查看性能是否得到改善。
Jim、
感谢您的回答。 我还有一个问题：
我们是否有可能以高驱动强度驱动数据输出并将时钟驱动强度设置为低电平？ 如果是，我们如何安排？
此致
Irmak
这是不可能的。
