器件型号：TSW14J56EVM
您好！
我将使用 TSW14j56EVM 和 ADC12j4000 EVM 来捕获射频脉冲。 我有一个触发器、在射频脉冲的精确时间向数据采集 EVM 发送1.8V 信号、但无论我使用哪种脉冲宽度、第一个脉冲似乎都完全丢失。 我使用了1us 到 10us、结果相同。 从 下面的 HSDC 快照中可以看到、第一个脉冲几乎没有显示、但随着我将脉冲宽度增加到1us 以下、第一个脉冲完全 消失、第二个脉冲甚至接近时间0。 我尝试用第二个图来说明这一点。 第一个是 HSDC 专业版捕获的表示。 第二个是我预期的结果、它更多地是第一个脉冲、但我看到图的第三部分、即第一个脉冲仍然完全丢失、第二个脉冲及时向左移动。
您能否说明外部触发器是在上升沿还是下降沿工作？ 如果它是上升沿、接收信号和读取数据之间是否会有如此长的延迟、以至于您会错过10us 或更长的脉冲？ 我已经通过示波器验证了触发信号和射频信号、它们的上升沿彼此之间的时间间隔在纳秒以内。
Jim、
感谢您的回答。 是的、我希望在收到触发信号后立即获得有效数据。 我们尝试使用 ADC 捕获多个脉冲、并希望包含第一个脉冲。 我正在使用 ADC12J4000_BYPASS.ini 文件。 您可以为我创建修改过的一个吗？ 我很难将文件附加到消息中。 下面的按钮是否在软件中突出显示、这会改变.ini 文件吗？ 我假设是这样。
这是否也会使读取 DDR 功能更快？ 在自动化软件中捕获脉冲、然后重新布设触发器大约需要1.6秒。 我们每60毫秒发送一组脉冲、并希望在脉冲通过时将其关闭。
谢谢、
Kyle
Jim、
.ini 文件似乎没有什么不同。 我像往常一样连接到电路板、进行了一次数据采集、然后选择了您提供的 BYPASS_skip.ini。 第一个脉冲仍然丢失。 选择.ini 文件的操作顺序是否正确？
我还将样本大小减小到4096、读取 DDR 存储器的时间仍然很长。 我粘贴了一个 MATLAB 代码片段、我曾尝试使用三个不同的触发器。 这 只是 HSDC Pro 中提供的一个经过编辑的 MATLAB 示例。 实际上、只需2.5秒即可运行"读取 DDR 存储器"命令、 写入二进制文件、并尝试在"读取 DDR 存储器"命令上再次对触发器进行 ARM。 预计需要这么长时间吗？ 是否有任何方法可以加快这一速度？
